Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-Diode
Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-Diode ist ein Bauelement mit geringer Kapazität, das speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differenzleitungen entwickelt wurde. Diese TVS-Diode bietet hervorragende ESD-Schutzeigenschaften, wie niedrige ESD-Spitzenklemmspannung und hohe ESD-Spannungsfestigkeit (+/-20 kV Kontakte gemäß IEC 61000-4-2). Die D3V3ZF1BD2CSP TVS-Diode zeichnet sich durch eine hohe Spitzenimpulsstrombelastbarkeit (10,5 A, tP = 8/20 µs) und eine extrem niedrige Klemmspannung zum Schutz empfindlicher Ein-/Ausgänge aus. Diese TVS-Diode ist in einem kleinen DSN-Gehäuse mit den Abmessungen 0,60 mm x 0,30 mm x 0,30 mm erhältlich. Typische Applikationen umfassen USB 3.0, USB 3.1, USB 3.2 Gen 2 x 2, USB Type-C®, HDMI™ 1.4, HDMI™ 2.0, HDMI™ 2.1, Thunderbolt™ 2, Thunderbolt™ 3 und 10G-Ethernet.
Merkmale
- Bietet Überspannungs-Schutz für die geschützte Leitung bis zu:
- IEC 61000-4-2 (ESD) Luft ±20 kV und Kontakt ±20 V
- IEC 61000-4-5 (Stoß) 10,5 A (8/20 µs)
- Bidirektionaler ESD-Schutz für eine Leitung
- Extrem niedrige Klemmspannung zum Schutz empfindlicher I/Os
- Vollständig bleifrei
- Halogen- und Antimon F-frei. „Umweltfreundliches“ Gerät
- Für Anwendungen in der Automobilindustrie, die eine spezifische Änderungskontrolle erfordern (d. h. Bauteile, die nach AEC-Q100/101/104/200 qualifiziert sind, PPAP-konform sind und in nach IATF 16949 zertifizierten Werken hergestellt werden)
Applikationen
- USB3.0 USB3.1 und USB3.2 Gen 2 x 2
- USB Type-C®
- HDMI™ 1,4 HDMI™ 2.0 und HDMI™ 2,1
- Thunderbolt™ 2 und Thunderbolt™ 3
- 10 G Ethernet
- Wi-Fi®-6 AnT
Technische Daten
- Sperrspannung (VRWM) von 3,3 V
- 0,23 pF (typisch) Eingangskapazität des Kanals
- 55 W Spitzenimpuls-Verlustleistung (8/20μs)
- Spitzenimpulsstrom von 10,5 A (8/20 µs)
- Kanal-Ableitstrom (VRWM von 50 nA = 3,3 V)
- -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
Geräteschaltplan
Maßbild
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2026-06-11
| Aktualisiert: 2026-06-23