Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Der Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET ist ein Automotive-konformer 40-V-MOSFET, der bei einem Gate-Drive von 10 V und einer Gate-Ladung von 117 nC über einen typischen RDS(ON) von 0,54 mΩ verfügt. Das DMTH4M70SPGWQ wird in einem innovativen, thermisch effizienten Hochstrom-PowerDI®-8080-5-Leistungsgehäuse angeboten und eignet sich hervorragend für Elektrofahrzeugapplikationen (EV). Der AEC-Q101-qualifizierte DMTH4M70SPGWQ MOSFET von Diodes Incorporated unterstützt Designer von Automotive-Hochleistungs-BLDC-Motorantrieben, DC/DC-Wandlern und Ladesystemen bei der Maximierung des Systemwirkungsgrads und gleichzeitiger Gewährleistung einer minimalen Verlustleistung. Das Bauteil bietet eine Betriebstemperatur von bis zu +175 °C.

Merkmale

  • Für Temperaturen bis +175 °C eingestuft und damit ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen
  • 100 % ungeklemmte induktive Schaltung (UIS), Test bei der Fertigung – gewährleistet eine zuverlässige und robuste Endanwendung
  • Hoher Wirkungsgrad bei der Umwandlung
  • Niedriger RDS(ON), reduziert die Stromverluste
  • Benetzbare Flanke für eine verbesserte optische Inspektion
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Bleifreie Ausführung, RoHS-konform
  • Bleifreies, halogenfreies und antimonfreies umweltfreundliches Bauteil
  • Geeignet für Fahrzeuganwendungen, die eine spezifische Änderungssteuerung erfordern
  • AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und wird in IATF 16949 zertifizierten Anlagen hergestellt

Applikationen

  • Motorsteuerungssysteme
  • Karosseriesteuerelektronik
  • DC/DC-Wandler

Gehäuseausführung

Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
DMTH4M70SPGWQ-13 DMTH4M70SPGWQ-13 Datenblatt MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI8080-5 T&R 2K
DMTH4M40SPGWQ-13 MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI8080-5 T&R 2K
DMTH81M2SPGWQ-13 MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI8080-5 T&R 2K
DMTH10H1M7SPGWQ-13 MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI8080-5 T&R 2K
DMTH4M72SPGWQ-13 Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI8080-5 T&R 2K
DMTH6M70SPGWQ-13 MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI8080-5 T&R 2K
Veröffentlichungsdatum: 2022-06-02 | Aktualisiert: 2026-03-27