Vishay Referenzdesign für bidirektionale eFuse

Vishay EFUSE-800V40ABI Bidirektionale eFuse verarbeitet Spannungen bis zu 950 V und 40 A Nennstrom und ist vollständig mit allen erforderlichen Rückmeldungssignalen ausgestattet. Diese Plattform erhöht die allgemeine Fahrzeugsicherheit durch Schutz vor Spannungsspitzen, Überstrom und steigenden Temperaturen. Zu den Merkmalen gehören ein Nebenwiderstände mit niedrigem Temperaturkoeffizienten (TCR) für präzise Strommessungen, ein Spannungsteiler mit geringem Nachführfehler und ein robuster I/O-Anschluss, der ESD-Schutz und Freilauffähigkeit bietet. Vishay EFUSE-800V40ABI bidirektionale eFuse basiert auf Vishays SiC MOSFETs.

Merkmale

  • Niedrige Nebenwiderstände (TCR) für präzise Strommessung
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Spannungsteiler mit geringem Nachführfehler
  • Robuster I/O-Anschluss mit ESD-Schutz und Freilauffähigkeit

Technische Daten

  • Nennspannung bis zu 950 V
  • 40 A Nennstrom
  • -40 °C bis +125 °C Betriebstemperaturbereich
  • 1500 mW maximaler Stromverbrauch
  • 300 mA maximaler Stromverbrauch
  • 5 kV RMS Isolationsspannung

Blockdiagramm des Systems

Blockdiagramm - Vishay Referenzdesign für bidirektionale eFuse
Veröffentlichungsdatum: 2026-02-23 | Aktualisiert: 2026-03-20