Infineon Technologies FS100R12W2T7_B11 EasyPIM™ 2B IGBT-Modul

Das FS100R12W2T7_B11 EasyPIM™ 1B IGBT-Modul ist ein 1.200 V, 100 A Dreiphasen-Gleichrichter-PIM (Power Integrated Modul, PIM) mit isoliertem Gate-Bipolartransistormodul und TRENCHSTOP™ IGBT7 sowie einer Emitter-gesteuerten Diode und einer PressFIT-Verbindungstechnik. Die kompakten EasyPIM IGBT-Module verfügen über keine Grundplatte, sind jedoch für eine schnelle, zuverlässige und kostengünstige Montage mit Schraubzwingen ausgestattet. 

Merkmale

  • VCES = 1.200 V
  • IC nom = 100 A
  • Niedrige Spannung im eingeschalteten Zustand VCE(sat) und VF
  • Tvj op = 175 °C bei Überlastung
  • Verbesserte Steuerbarkeit von dv/dt
  • Optimierte Schaltverluste für dv/dt = 5 kV/µs
  • 8 μs Kurzschlussfestigkeit
  • Verbesserte FWD-Nachgiebigkeit

Applikationen

  • Hilfs-Wechselrichter
  • Servos
  • Klimaanlagen
  • Motorantriebe
Veröffentlichungsdatum: 2019-02-20 | Aktualisiert: 2022-03-11