Infineon Technologies 1EDN71x6U 200 V High-Side-TDI-Gate-Treiber

Die 1EDN71x6U 200-V-High-Side-TDI-Gate-Treiber von Infineon Technologies sind einkanalige Gate-Treiber-ICs, die für die Ansteuerung von Infineon CoolGaN™ -Schottky-Gate-HEMTs sowie anderen GaN-SG-HEMTs und Si-MOSFETs optimiert sind. Dieser Gate-Treiber enthält mehrere wichtige Funktionen, die ein leistungsstarkes Systemdesign mit dem GaN SG HEMTs ermöglichen, einschließlich eines echten Differential-Eingangs, vier Treiberstärkungsoptionen, einer aktiven Miller-Klemme und einer Bootstrap-Spannungsklemme.

Merkmale

Optimiert für den Antrieb von GaN-SG-HEMTs und Si-MOSFETs
Vollständig differenzielle Logikeingangsschaltungen, um ein falsches Auslösen im Low-Side- oder High-Side-Betrieb zu vermeiden.
Hoher Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich (CMR) von bis zu ±200 V für High-Side-Betrieb
Hohe Immunität gegenüber Gleichtakt-Spannungsübergängen (100 V/ns) für einen robusten Betrieb während des schnellen Schaltens
Kompatibel mit einer Eingangslogikschaltung von 3,3 V oder 5 V

Vier Antriebskraft-Ausführungen zur Optimierung der Schaltgeschwindigkeit ohne externe Gate-Widerstände – bis zu 2 A Quell-/Senkstrombelastbarkeit
Aktive Bootstrap-Klemme zur Vermeidung von Bootstrap-Kondensator-Überladung während der Totzeit
Aktive Miller-Klemme mit einer Senkkapazität von 5 A zur Verhinderung eines induzierten Einschaltens
Gemäß den relevanten Test von JEDEC47/20/22 für Industrieapplikationen qualifiziert