Infineon Technologies 2ED2410-EM MOSFET-Gate-Treiber

Der MOSFET-Gate-Treiber 2ED2410-EM von Infineon Technologies   verfügt über zwei unabhängige Gate-Ausgänge für 12-V-/24-V-Fahrzeuganwendungen. Der MOSFET-Gate-Treiber 2ED2410-EM bietet Schutz für das Verbinden/Trennen von Lasten oder verschiedenen Stromversorgungen. Der integrierte Aufwärtswandler ermöglicht es, dass externe MOSFETs kontinuierlich eingeschaltet bleiben und auch bei Kaltstartbedingungen bis hinunter zu 3 V funktionieren. Der 2ED2410-EM verfügt über vier integrierte Komparatoren und drei analoge Messschnittstellen zu Schutzzwecken, wodurch flexible und vielseitige Lösungen für verschiedene E/E-Architekturanforderungen ermöglicht werden. Der Gate-Treiber 2ED2410-EM verfügt über ein Kanal-Bauteil mit zwei High-Side-Gate-Treiberausgängen, einem einstellbaren Überstrom-/Kurzschlussschutz und zwei  bidirektionalen analogen High-Side-Strommessschnittstellen. Der Gate-Treiber 2ED2410-EM wird bei einem Eingangsspannungsbereich  von 3 V bis 58 V, einer Einschalt-/Ausschalt-Laufzeitverzögerung von 4µs und einem Lagertemperaturbereich von -55°C bis 150°C betrieben. Zu den typischen Applikationen gehören ein Verbindungs-/Isolationsschalter zwischen Netzteilen, und der Gate-Treiber unterstützt eine zuverlässige Stromversorgung und -verteilung.

Merkmale

  • Zwei bidirektionale analoge High-Side-Strommessschnittstellen mit extern einstellbarer Verstärkung
  • Kanalsteuerung und Diagnose über Pins
  • Analoge Schnittstelle für externe Temperaturmessung
  • Gate-Unterspannungssperre (UVLO)
  • AEC-Q100-qualifiziert
  • Einkanal-Bauteil mit zwei High-Side-Gate-Treiberausgängen
  • Unterstützt Back-to-Back-MOSFET-Topologien (Common-Drain und Common-Source)
  • PRO-SIL™ ISO 26262-bereit für die Unterstützung des Integrators bei der Evaluierung von Hardware-Elementen gemäß ISO 26262:2018 Abschnitt 8 bis 13
  • Einstellbarer Überstromschutz sowie Kurzschluss-Sicherung
  • Vielseitiger Komparator zur Implementierung von:
    • Einstellbarer I-t-Drahtschutz
    • Einstellbarer Über-/Unterspannungsschutz
    • Anpassbarer Übertemperaturschutz

Technische Daten

  • 3-Ω-Pull-down, 50-Ω-Pull-up für schnelles Ein-/Ausschalten
  • Eingangsspannungsbereich: 3 V bis 58 V
  • Ausgangsstrom (Quelle): 0,175 A
  • Ausgangsstrom (Senke): 1,4 A
  • Ein-/Ausschalt-Laufzeitverzögerung: 4 µs
  • Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
  • Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C

Applikationen

  • Ausfallsichere Stromversorgung, die für Hochstromapplikationen ausgelegt ist
  • Verbindungs-/Isolierschalter zwischen Stromversorgungen
  • Zur Unterstützung einer zuverlässigen Stromversorgung und -verteilung ausgelegt
  • Stromverteilerkasten
  • DC/DC-Ausgangsschutzschalter

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Infineon Technologies 2ED2410-EM MOSFET-Gate-Treiber

Pin-Konfigurationsdiagramm

Infineon Technologies 2ED2410-EM MOSFET-Gate-Treiber
Veröffentlichungsdatum: 2022-08-23 | Aktualisiert: 2023-11-03