Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs
Die™ Fahrzeug 750 V MOSFETs von Infineon Technologies sind so konstruiert, dass sie den strengen Anforderungen von Applikationen in Elektrofahrzeugen (EV) wie Umrichter, Onboard- Ladegeräten (OBC) und Hochspannungs -DC/DC- Wandlern gerecht werden. Diese MOSFETs aus Siliciumcarbid (SiC) bieten einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und ein hervorragendes Betriebsverhalten, was die Entwicklung von E-Mobilitätssystemen der nächsten Generation ermöglicht. Mit einer Nennspannung von 750 V und der Technologie der zweiten Generation CoolSiC™ bieten diese Bauteile ein verbessertes Schaltverhalten und geringere Verluste im Vergleich zu Siliziumlösungen. Das Portfolio umfasst einen Bereich von RDS(on)-Werten von 9 mΩ bis 78 mΩ und bietet Designern somit Flexibilität bei der Optimierung von Leitungs- und Betriebsverhalten.
Die MOSFETs sind in robusten, fahrzeugqualifizierten Q‑DPAK- und PG‑TO263‑7-Gehäusen erhältlich, AEC-Q101-konform und unterstützen den Betrieb bis zu +175 °C. Schnelle Schaltfähigkeit, geringe Sperrverzögerung und Kurzschlussfestigkeit gewährleisten einen hohen Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Fahrzeugumgebungen. Durch die Reduzierung des Kühlbedarfs und die Ermöglichung kompakter SystemDesigns tragen CoolSiC™ MOSFETs dazu bei, den Ansteuerbereich zu erhöhen und skalierbare Lösungen für unterschiedliche Leistungsstufen in Traktions- und Hilfssystemen zu unterstützen.
Merkmale
- Äußerst robuste 750 V Technologie, 100 % Lawinentest
- Überlegener RDS(on) x Qfr
- Ausgezeichnete RDS(on) x Qoss und RDS(on) x QG
- Einzigartige Kombination aus niedrigem Crss/Ciss und hohem VGS(th)
- Infineons firmeneigene Die-Attach-Technologie
- TSC-Verpackung mit Materialgruppe I
- Treiber-Quellen-Pin verfügbar
- Verbesserte Robustheit und Zuverlässigkeit für BUSspannungen jenseits von 500 V
- Einzelne N-Kanal-Erweiterung Modus Bauteile
- Hervorragender Wirkungsgrad bei harten Schaltungen
- Hohe Schaltfrequenz in Soft-Switching-Topologien
- Robustheit gegenüber parasitärem Einschalten bei unipolarer GATE-Ansteuerung
- Hervorragende Wärmeableitung
- Reduzierte Schaltverluste durch verbesserte GATE-Steuerung
- AEC‑Q101 qualifiziert
- Bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform
Applikationen
- Unidirektionale und bidirektionale Bordladegeräte und HV-LV DC/DC Wandler (hartschaltende Halbbrücken und weichschaltende Topologien)
- Leistungsschalter (Schalter -Batterietrennschalter DC und AC -NiederfrequenzSchalter Niederfrequenz Hochspannungs-E-Sicherungen)
- Laufwerke
Technische Daten
- Drain-Source-Durchschlagspannung 750 V
- 9 mΩ bis 78 mΩ Drain-Source-On-Widerstand Bereich
- Schwellenspannung Gate-Source 5,6 V
- Gate-Source-Spannung -7 V / +23 V
- 29 A bis 198 A Dauersenkenstrom Bereich
- 20 nC bis 169 nC GATE elektrische Ladung Bereich
- Bereich der Verlustleistung von 116 W bis 651 W
- 8,3 S zu 78 S minimales Forward Transkonduktanz Bereich
- Typische Einschaltverzögerungszeit Bereich 7 ns und 17 ns
- Bereich der Anstiegszeit von 5 ns bis 18 ns
- Typische Abschaltverzögerungszeit Bereich 15 ns und 39 ns
- Abfallzeit Bereich 5 ns und 10 ns
- Q‑DPAK- oder PG‑TO263‑7 Oberflächenmontagegehäuse
- -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
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