Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B-IGBT-Module
Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B-IGBT-Module mit CoolSiC™ MOSFETs bieten eine sehr geringe Streuinduktivität und einen hervorragenden Wirkungsgrad, der höhere Frequenzen, eine höhere Leistungsdichte und einen reduzierten Kühlbedarf ermöglicht. Die 1200 V, 8 mΩ Halbbrückenmodule umfassen einen integrierten NTC-Temperatursensor und eine PressFIT-Kontakttechnologie. Wärmeleitmaterial ist auf den xHP_B11-Varianten verfügbar. Diese Bauteile verfügen über empfohlene Gate-Treiber-Spannungsbereiche von 0 bis 5 V und +15 V bis +18 V, maximale Gate-Source-Spannungen von +23 V oder -10 V und Drain-Source-On-Widerstandsoptionen von 17 m Ω oder 33 mΩ. Integrierte Montageklemmen bieten eine robuste Montagesicherheit.Merkmale
- Erstklassiges Gehäuse mit den Abmessungen 62,8 mm x 33,8 mm x 12 mm (LxBxH)
- Kombination aus modernstem WBG-Material und Easy-Modulpaketen
- Sehr niedrige Streuinduktivität des Moduls
- Breites RBSOA
- 1200V CoolSiC MOSFET mit verbesserter Trench-Technologie der 1. Generation
- Erweiterte empfohlene Gate-Drive-Spannungsfenster von 0 bis 5 V und +15 V bis +18 V
- Erweiterte maximale Gate-Source-Spannungen von +23 V und -10 V
- Drain-Source-On-Widerstandsoptionen: 17 mΩ oder 33 mΩ
- Tvjop unter Überlastbedingungen bis zu +175 °C
- PressFIT-Kontakte
- Integrierter NTC-Temperatursensor
- Wärmeableitungsmaterial (xHP_B11 Varianten)
- Integrierte Befestigungsklammern
- Ermöglicht eine höhere Frequenz zur Erhöhung der Leistungsdichte
- Hervorragender Modulwirkungsgrad und ein optimales Kosten-Leistungsverhältnis ermöglichen reduzierte Systemkosten
- Verbesserung des Systemwirkungsgrads für reduzierten Kühlbedarf
- RoHS-konform
Applikationen
- Applikationen mit hoher Schaltfrequenz
- DC/DC-Wandler
- USV-Systeme
- DC-Ladegeräte für EV (FF17MR12W1M1Hx-Varianten)
- Motorantriebe (F33MR12W1M1Hx-Varianten)
Diagramme
Applikationshinweise
- AN2021-13: CoolSiC™ MOSFET M1H für Module
- AN2018-09: Richtlinien für das CoolSiC™ MOSFET-Gate-Drive-Spannungsfenster
- AN2009-01: Montageanleitung für die Easy PressFIT-Module
- AN2017-04: Erweiterte Gate-Drive-Optionen für Siliziumkarbid (SIC) -MOSFETs mit EiceDRIVER™
- AN2017-46: CoolSiC™ 1200-V-SiC-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2023-06-05
| Aktualisiert: 2023-06-12
