Infineon Technologies EiceDRIVER™ Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs

Die Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs EiceDRIVER™ von Infineon Technologies für Anwendungen in Elektrofahrzeugen (EV) umfassen für den Fahrzeugbau zugelassene IGBT-Treiber-ICs und SiC-MOSFET-Treiber-ICs. Die Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs EiceDRIVER™ von Infineon Technologies bieten galvanische Trennung und bidirektionale Signalübertragung sowie eine hohe Umgebungstemperaturbeständigkeit. Die ICs ermöglichen extrem kurze Übertragungsverzögerungen und unterstützen IGBT- und SiC-Technologien bis zu 1200 V. Die Bausteine verfügen über wichtige Funktionen/Parameter zur Ansteuerung von SiC-MOSFETs, wie z.B. ein verbessertes Schaltverhalten (erweiterte CMTI-Fähigkeit, schnelle Ausbreitungsverzögerung, Schaltfrequenz), einen großen ausgangsseitigen Versorgungsbereich, eine kurze interne Totzeit und eine DESAT/OCP-Schwellenwertanpassung. Erweiterte Überwachungs- und Schutzfunktionen erleichtern die Umsetzung der Anforderungen an die funktionale Sicherheit gemäß ISO 26262 und gewährleisten einen stabilen Betrieb in rauen EMC-Umgebungen.