Infineon Technologies EVAL_MTR_48V150A_GaN Evaluierungsboard
Das Infineon Technologies EVAL_MTR_48V150A_GaN Evaluierungsboard ist eine leistungsstarke Niederspannungs-Motorantriebs-Plattform, die zur Demonstration der Fähigkeiten von CoolGaN™ 80-V-G3-Transistoren in Hochstrom-Applikationen ausgelegt ist. Das Board wurde für Systemapplikationstechniker konzipiert und unterstützt die Entwicklung von Motorantrieben von bis zu 48 V und 150 A, wodurch es sich hervorragend für bürstenlose Gleichstrom(BLDC)- und Permanentmagnet- Synchron(PMSM)-Motorsysteme der nächsten Generation eignet. Das EVAL_MTR_48V150A_GaN von Infineon integriert acht parallelgeschaltete CoolGaN- Transistoren in einer Halbbrückenkonfiguration und ermöglicht einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad (bis zu 99 %) bei Schaltfrequenzen von 50 kHz bis 100 kHz.
Ergänzend zur Leistungsstufe kommen 1EDN7116U TDI™ Gate-Treiber zum Einsatz, die für ein schnelles und präzises GaN-Schalten optimiert sind, sowie drei™ TLE4972 magnetische Stromsensoren, die eine genaue Phasenstrommessung über alle unterstützten Schaltfrequenzen ermöglichen. Das Board akzeptiert einen Batterieeingangsbereich von 14 V bis 66 V und erzeugt einen AC-Ausgang von 0 V bis 19,5 V bei Stromstärken zwischen 110 A und 160 A und ermöglicht dadurch eine realistische Evaluierung unter anspruchsvollen Lastbedingungen. Insgesamt dient das EVAL_MTR_48V150A_GaN als umfassendes Referenzdesign für Ingenieure, die kompakte GaN-basierte Motorantriebslösungen mit hohem Wirkungsgrad anstreben.
Merkmale
- IGC025S08S1 CoolGaN 80-V-Transistor, maximal 2,5 mΩ im PQFN-Gehäuse mit 3 mm x 3 mm
- 1EDN71x6U EiceDRIVER GATE-Treiber für GaN-Transistoren und MOSFETs
- TLE4972 XENSIV Magnetischer Stromsensor für AC- und DC-Ströme
- Eingangsnennspannung: 48 V
- Design mit hoher Leistungsstärke auf einem PCB von 135 mm × 90 mm und zwölf Schichten mit 70 µm (2 oz.) Kupfer
- Keramikkondensator-DC-Link für niedrigen äquivalenten Serienwiderstand (ESR) und hohe Stromwelligkeitsbelastbarkeit
- Optimierte Leistungsschleifeninduktivität ermöglicht Schaltspitzen und ein minimales Überschwingen während Nanosekunden
- Hilfsversorgung von 3,3 V und 12 V enthalten
- Wählbare Überstromerkennung (OCD) von 492 A oder 834 A
- Kühlkörper und Montagehardware sind im Kit enthalten
Applikationen
- Entwicklung von Niederspannungs- und Hochstrom-Motorantrieben
- Motorantriebssysteme mit feldorientierter Steuerung (FOC)
- Motorantriebe mit hohem Wirkungsgrad und GaN-Technologie
- Prototyping für Designs der nächsten Generation
- Testen und evaluieren von leistungsstarken BLDC/PMSM-Motorsystemen
- Präzisionsstrommessung
- Batteriebetriebene Motorsysteme
- Forschung und Bildung im Bereich der GaN- Leistungselektronik
Technische Daten
- 48 V Eingang, Bereich von 14 V bis 66 V
- Ausgang: 0VAC bis 19,5 VAC
- Schaltfrequenzbereich: 50 kHz bis 100 kHz
- Strombereich: 110 A bis 160 A
- Wirkungsgrad von bis zu 99 %
- 0 °C bis +85 °C Betriebstemperaturbereich
- Größe: 135 mm x 90 mm x 18 mm
Blockdiagramm
Übersicht
Integrierte Bauelemente
Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistoren
Entwickelt für ein überragendes Betriebsverhalten in Applikationen mit hoher Leistungsdichte.
Infineon Technologies TLE4972 XENSIV™ Magnetischer kernloser Stromsensor
Enthält ein Sensorsignal proportional zu den gemessenen Strom- und 2 Überstromerkennungs-Pins.