Infineon Technologies F3L600R10W4S7F_C22 EasyPACK™ IGBT-Modul

Das EasyPACK™ IGBT-Modul von Infineon Technologies F3L600R10W4S7F_C22 integriert eine 1.200-V-CoolSiC™-Diode, einen TRENCHSTOP™-IGBT7 und einen NTC-Temperatursensor in einem kompakten Gehäuse mit PressFIT-Kontakttechnologie. Die 1.200-V-CoolSiC-Dioden reduzieren die Schaltverluste, und der IGBT7v gewährleistet ein weiches Abschaltverhalten. Dieses IGBT-Modul ist für Solarenergielösungen und dreistufige Applikationen optimiert.

Das EasyPACK IGBT-Modul von Infineon Technologies F3L600R10W4S7F_C22 zeichnet sich durch ein lötfreies Design ohne Grundplatte aus, das dank der PressFIT-Kontakttechnologie einen schnellen und zuverlässigen Bestückungsprozess ermöglicht.

Merkmale

  • 950 V Kollektor-Emitter-Spannung (VCES)
  • Implementierter 600-A-Kollektorstrom (ICN)
  • Repetitiver Kollektorspitzenstrom: 800 A (ICRM)
  • Wiederholte Spitzensperrspannung: 1.200 V (VRRM)
  • CoolSiC™ Schottky-Diode (Generation 5)
  • TRENCHSTOP IGBT7
  • Integrierter NTC-Sensor (negativer Temperaturkoeffizient)
  • Temperatur unter Schaltbedingungen: -40 °C bis +150 °C (Tvj, op)
  • Gehäuse mit CTI >400
  • Lötfreie, grundplattenlose Konstruktion
  • PressFit-Kontakttechnologie

Applikationen

  • Designs, Platinen und Werkzeuge für Motorsteuerungen
  • Lösungen für Solarenergiesysteme
  • Raumklimaanlage
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV)
  • Schnelles EV-Laden
  • Leistungsübertragung und -verteilung

Schaltplan

Schaltplan - Infineon Technologies F3L600R10W4S7F_C22 EasyPACK™ IGBT-Modul

Mechanische Zeichnung (oben, seitlich)

Technische Zeichnung - Infineon Technologies F3L600R10W4S7F_C22 EasyPACK™ IGBT-Modul

Mechanische Zeichnung (unten)

Technische Zeichnung - Infineon Technologies F3L600R10W4S7F_C22 EasyPACK™ IGBT-Modul
Veröffentlichungsdatum: 2022-07-14 | Aktualisiert: 2022-07-27