Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs sind leistungsstarke N-Kanal Transistoren, die für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsapplikationen entwickelt wurden. Diese MOSFETs bieten einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand, überlegenen thermischen Widerstand und ein ausgezeichnetes Miller-Verhältnis für dv/dt-Robustheit. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 sind für Hard-Switching- und Soft-Switching-Topologien sowie für FOMoss optimiert. Diese MOSFETs sind zu 100 % durch Avalanche-Tests geprüft und sind RoHs-konform. Die OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs sind gemäß IEC61249‑2‑21 halogenfrei.Merkmale
- Sehr geringer On-Widerstand RDS(on)
- Überlegener thermischer Widerstand
- Optimiert für Hard-/Soft-Switching-Topologien
- Optimiert für FOMoss
- 100 % Avalanche-getestet
- Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21
- Bleifreie Beschichtung von Leitungen
- RoHS-konform
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-24
| Aktualisiert: 2025-11-03

