Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75-V-100-V-MOSFETs für Fahrzeuge

Die 75-V- bis 100-V-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen OptiMOS™ 5 von Infineon Technologies sind für Hochleistungsanwendungen konzipiert und verfügen über eine erweiterte Qualifizierung, die über die Anforderungen der Norm AEC-Q101 hinausgeht. Das N-Kanal-Verstärkungsmodus-Bauelement vereint ein robustes Design mit fortschrittlicher Technologie und integriert die Eigenschaften von linearen FETs (LINFETs) und FETs mit niedrigem RDS(on) (ONFETs) in einem einzigen Gehäuse. Diese Dual-Gate-Konfiguration bietet dedizierte Gate-Pins für jeden MOSFET, was die Flexibilität und Kontrolle beim Schaltungsdesign erhöht. Der Linear-FET zeichnet sich durch einen verbesserten sicheren Betriebsbereich (SOA) und hervorragende Parallelschaltfähigkeiten aus, wodurch ein zuverlässiger linearer Betrieb unter wechselnden Bedingungen gewährleistet ist. Die 75-V- bis 100-V-MOSFETs OptiMOS™ 5 von Infineon Technologies arbeiten in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C und sind im PG-HSOF-8-2-Gehäuse erhältlich. 

Merkmale

  • OptiMOS Leistungs-MOSFET für Fahrzeuganwendungen
  • Erweiterte Qualifizierung über AEC-Q101 hinaus
  • N-Kanal, Anreicherungsmodus, normaler Pegel
  • Verbesserte elektrische Prüfung
  • Robustes Design
  • Linearer FET (LINFET) und FET mit niedrigem RDS(on) (ONFET) in einem Gehäuse
  • Separate Gate-Pins für beide MOSFETs (Dual-Gate)
  • Linearer FET mit verbesserten SOA- und Parallelisierungseigenschaften für linearen Betrieb
  • Maximale Betriebstemperatur von +175 °C
  • RoHS-konform
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 bis zu +260 °C Peak Reflow

Applikationen

  • Stromverteilung und Batteriemanagement (elektronische Sicherungen und Trennschalter)
  • Begrenzung des Einschaltstroms (Kondensatorladung, Motorstoßstrom)
  • Langsames Schalten zur Minimierung von Spannungstransienten und EMI (elektrische Katalysatorheizung)
  • Drain-Source-Spannungsbegrenzung (Ableitung von induktiver Energie, Überspannungsschutz)

Technische Daten

  • 80 V maximale Drain-Source-Spannung
  • 1,15 mΩ maximaler Drain-Source-On-Widerstand
  • 410 A maximaler Drainstrom
  • Einzelimpuls-Avalanche
    • 820 mJ maximale Energie
    • 300 A maximale Stromstärke
  • ±20 maximale Gate-Source-Spannung
  • 375 W maximale Verlustleistung
  • -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
  • Thermischer Widerstand
    • 0.40K/W maximal Sperrschicht-zu-Gehäuse
    • 14.8 K/W typischer Übergang zur Umgebung
  • PG-HSOF-8-2-Gehäuse

Applikations-Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75-V-100-V-MOSFETs für Fahrzeuge
Veröffentlichungsdatum: 2024-11-05 | Aktualisiert: 2026-04-14