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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimierte 40-V-Leistungs-MOSFETs

OptiMOS™ 7 Optimierte 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind optimierte Motortreiber, die maßgeschneiderte Lösungen für eine effiziente Leistungsumwandlung in Antrieben, Elektro- und Gartengeräten bieten. Das 40-V- Portfolio von Infineon bietet zusätzliche Spannungsknoten und einen niedrigen Einschaltwiderstand [RDS(on)] mit Standardgehäuseoptionen einschließlich PG-TDSON (PQFN 5 mm x 6 mm), PG-TSDSON (PQFN 3,3 mm x 3,3 mm) und PG-WSON-8 (PQFN 5 mm x 6 mm, doppelseitig gekühlt). Zu den Applikationen gehören Motorsteuerungen, Batteriemanagementsysteme (BMS), kabellose Staubsauger, Gartengeräte und Elektrowerkzeuge.

Merkmale

  • Verbesserte Effizienz und überlegene Leistung, reduzierte Leistungsverluste
  • Verbesserte Robustheit unter rauen Bedingungen
  • Verbesserte Handhabung von Impulsströmen
  • Verbesserte Immunität gegen Kurzschlussereignisse
  • Verbesserte Immunität gegen parasitäre Einschaltvorgänge
  • Intrinsische Kurzschlussstrombegrenzung
  • Verbesserte Anstiegsratensteuerung / besseres EMI-Verhalten und Benutzerfreundlichkeit
  • n-Kanal, normale Stufe
  • Erweiterte SOA
  • Antriebe optimiert
  • Überragender thermischer Widerstand
  • Kontrollierte Transkonduktanz
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Gehäuse PG-TDSON (PQFN 5 mm x 6 mm), PG-TSDSON (PQFN 3,3 mm x 3,3 mm) und PG-WSON-8 (PQFN 5 mm x 6 mm, doppelseitig gekühlt)
  • Qualifiziert für Industrieapplikationen gemäß JEDEC JESD47, JESD22 und J‑STD‑020
  • Bleifreie Anschlussbeschichtung, RoHS-konform
  • Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21

Applikationen

  • Kabellose Elektrowerkzeuge und Staubsauger
  • Outdoor-Ausrüstung
  • Nicht stapelbare BMS-Lösungen
  • Stromsparende BDC/BLDC-Motorantriebe bis 72 V

Technische Daten

  • 40 V minimale Drain-Source-Durchschlagspannung
  • 2,35 V bis 3,15 V Gate-Schwellenspannungsbereich
  • 1 μA bis 100 μA Null-Gate-Spannungs-Drainstrombereich
  • 100 nA maximaler Gate-Source-Ableitstrom
  • 0,5 mΩ bis 1,63 mΩ maximaler Drain-Source-Einschaltwiderstandsbereich
  • 0,7 Ω bis 1 Ω typischer Gate-Widerstandsbereich
  • 100 S bis 150 S typischer Transkonduktanzbereich
  • 31 A bis 458 A maximaler Dauersenkenstrombereich
  • 696 A bis 1.832 A maximaler gepulster Drainstrombereich
  • 68 mJ bis 726 mJ maximaler Einzelimpuls-Avalanche-Energiebereich
  • ±20 V maximale Gate-Source-Spannung
  • 94 W bis 214 W maximaler Verlustleistungsbereich bei +25 °C
  • -55 °C bis +175 °C maximaler Betriebs-Lagertemperaturbereich
  • Typische Kapazitätsbereiche
    • 2.400 pF bis 7.700 pF Eingang
    • 1.300 pF bis 4.000 pF Ausgang
    • 30 pF bis 87 pF Rückübertragung
  • Typische Timing-Bereiche
    • 8,2 ns bis 16 ns Einschaltverzögerung
    • 2,6 ns bis 8,1 ns Anstieg
    • 13 ns bis 36 ns Ausschaltverzögerung
    • 4,5 ns bis 12 ns Abfall
  • Maximaler thermischer Widerstand
    • 0,7 °C/W bis 1,6 °C/W Sperrschicht-zu-Gehäuseunterseite
    • 20 °C/W Sperrschicht-zu-Gehäuseoberseite
    • 50 °C/W Verbindung-zu-Umgebung, 6 cm2 Kühlbereich

Schaltpläne

Schaltplan - Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimierte 40-V-Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-15 | Aktualisiert: 2025-10-02