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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen von Infineon Technologies werden mit der führenden Leistungshalbleitertechnologie gefertigt. Diese MOSFETs wurden wurden gezielt für die Anforderungen anspruchsvoller Fahrzeuganwendungen hinsichtlich Leistungfähigkeit, Qualität und Robustheit entwickelt. Die 80-V-MOSFETs OptiMOS™ 7 arbeiten mit einer Gate-Source-Spannung von ±20 VGS und in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Diese MOSFETs werden in einem oberseitig gekühlten 5 x 7mm2 großen SSO10T SMD-Gehäuse angeboten. Das SSO10T-Gehäuse hilft Anwendern, Verbesserungen bei der Kühlung und Leistungsdichte zu erzielen. Die 80-V-Leistungs-MOSFETs sind MSL-1-zertifiziert, RoHS-konform und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für allgemeine Fahrzeuganwendungen.

Merkmale

  • Direkter Kühlweg zum Gehäuse des Steuergeräts (ECU-Gehäuse)
  • Praktisch kein Wärmefluss in die PCB
  • Größte freiliegende Pad-Fläche der Branche
  • Bietet die Möglichkeit zur freie Verlegung von Leiterbahnen unter dem Gehäuse
  • Bauteile können auf der Rückseite des PCB montiert werden
  • Spitzenwert des Einschaltwiderstands, RDS(on)
  • Schnelle Schaltzeiten (Ein-/Ausschalten)
  • Enger Schwellenspannungsbereich, VGS(th)
  • Erweiterte Qualifizierung über AEC-Q101 hinaus
  • Verbesserte elektrische Prüfung
  • Das Gehäuse ist bei JEDEC gelistet.
  • Ermöglicht ein hervorragendes Wärmemanagement
  • 20 % bis 50 % verbesserte thermische Impedanz
  • 20 % bis 50 % verbesserter thermischer Widerstand
  • Trägt zur Reduzierung des ECU-Volumens oder der PCB-Fläche bei
  • Trägt zur PCB-Kostensenkung bei (Fläche, Cu und Vias)
  • Reduziert den PCB- und Systemdesignaufwand
  • Unterstützt das Erzielen der höchsten Leistungsdichte
  • Reduziert Leitungsverluste
  • Überlegenes Betriebsverhalten
  • Optimal für Parallelanordnung
  • Qualität und Robustheit für Fahrzeuganwendungen
  • Option für eine zweite Bezugsquelle

Applikationen

  • Fahrzeuge:
    • 48 V elektrische Servolenkung (EPS)
    • LED-Frontbeleuchtung
    • DC-AC-Umrichter

Abmessungen

Technische Zeichnung - Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Bieten Hochleistungsdichte geringe Leitungsverluste und optimiertes Schaltverhalten.

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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

Implementiert Leistungs-MOSFET Technologie mit 40 V innovativen, kabellosen, robusten Stromversorgungspaketen.

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Teilnummer Datenblatt Abfallzeit Id - Drain-Gleichstrom Verpackung/Gehäuse Pd - Verlustleistung Qg - Gate-Ladung Rds On - Drain-Source-Widerstand Anstiegszeit Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
IAUZN08S7N046ATMA1 IAUZN08S7N046ATMA1 Datenblatt 7 ns 99 A PG-TDSON-8 94 W 27.2 nC 4.6 mOhms 3.7 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1 Datenblatt 25 ns 210 A PG-TDSON-8 169 W 79.9 nC 1.8 mOhms 11 ns 80 V 20 V 2 V
IAUCN08S7L024ATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1 Datenblatt 20 ns 177 A PG-TDSON-8 148 W 65.2 nC 2.4 mOhms 9 ns 80 V 16 V 2 V
IAUCN10S7L040ATMA1 IAUCN10S7L040ATMA1 Datenblatt 14 ns 130 A PG-TDSON-8 118 W 44.3 nC 3.3 mOhms 5.9 ns 100 V 16 V 2 V
IAUZN10S7N078ATMA1 IAUZN10S7N078ATMA1 Datenblatt 5 ns 76 A PG-TDSON-8 94 W 22.2 nC 7.8 mOhms 3.6 ns 100 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 Datenblatt 35 ns 293 A PG-TDSON-8 219 W 120 nC 1.26 mOhms 14 ns 80 V 20 V 2 V
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 Datenblatt 14 ns 130 A PG-TDSON-8 118 W 44.3 nC 3.3 mOhms 5.9 ns 80 V 16 V 2 V
IAUCN08S7N016TATMA1 IAUCN08S7N016TATMA1 Datenblatt 20 ns 262 A PG-LHDSO-10-3 205 W 83 nC 1.63 mOhms 18 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7N019TATMA1 IAUCN08S7N019TATMA1 Datenblatt 17 ns 223 A PG-LHDSO-10-2 180 W 68 nC 1.94 mOhms 16 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1 Datenblatt 16 ns 186 A PG-LHDSO-10-1 157 W 54 nC 2.44 mOhms 16 ns 80 V 20 V 3.2 V
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-23 | Aktualisiert: 2025-08-19