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Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs sind N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V (ISC016N08NM8 und ISC016N08NM8SC) oder 100 V (ISC019N10NM8SC) mit sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)]. Die ISC016N08NM8SC und ISC019N10NM8SC sind in doppelseitig gekühlten Gehäusen (WSON-8) erhältlich, während der ISC016N08NM8 in einem Standardgehäuse TDSON-8 geliefert wird. Jedes Paket bietet überlegenen thermischen Widerstand und ist 100 % lawinengetestet. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 8 von Infineon Technologies verfügen über eine Diode mit sanfter Erholung und sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform.

Merkmale

  • n-Kanal, normale Stufe
  • Optimiert für Motorantriebe, Synchrongleichrichtung und Batterieschutz (ISC016N08NM8 und ISC016N08NM8SC)
  • Optimiert für Hochleistungs- SMPS und Motorantriebe (ISC019N10NM8SC)
  • Doppelseitig gekühltes Gehäuse mit dem niedrigsten thermischen Widerstand (ISC016N08NM8SC und ISC019N10NM8SC)
  • Diode mit Soft-Recovery-Körper
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Überragender thermischer Widerstand
  • Sehr niedriger RDS(on)
  • +175 °C eingestuft
  • Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
  • Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
  • MSL 1-Klassifizierung gemäß J-STD-020 (ISC016N08NM8 und ISC016N08NM8SC)

Applikationen

  • Lösungen für Rechenzentren und KI-Rechenzentren
  • Telekommunikationsinfrastrukturen
  • Photovoltaik
  • Industrielle und Verbraucher-BMS
  • Server-Netzteile (PSU)
  • Multikopter und Drohnen
  • Elektrowerkzeuge
  • Humanoid-Roboter
  • Motorsteuerung

Technische Daten

  • Drain-Source-Durchschlagspannung [V(BR)DSS] (VGS = 0 V, ID = 1 mA)
    • ISC016N08NM8 ISC016N08NM8SC 80 V (min..)
    • ISC019N10NM8SC: 100 V (min.)
  • Drain-source RDS(on) (VGS = 10 V, ID = 50 A)
    • ISC016N08NM8 ISC016N08NM8SC 1,64 mΩ (max.)
    • ISC019N10NM8SC = 1,95 mΩ Max.
  • Dauersenkenstrom (ID) (VGS = 10 V, TC = 25 °C)
    • ISC016N08NM8 = 268 A Max.
    • ISC016N08NM8SC = 269 A Max.
    • ISC019N10NM8SC = 245 A Max.
  • Ausgang elektrische Ladung (Qoss)
    • ISC016N08NM8, ISC016N08NM8SC: 147nC (typ.) (VDS = 40 V, VGS = 0 V)
    • ISC019N10NM8SC: 205nC (typ.) (VDS = 50 V, VGS = 0 V)
  • Elektrische Ladung am GATE insgesamt (GQ)
    • ISC016N08NM8, ISC016N08NM8SC: 76 nC (typisch) (VDD = 40 V, ID = 50 A, VGS = 0 V bis 10 V)
    • ISC019N10NM8SC: 106 nC (VDD = 50 V, ID = 25 A, VGS = 0 V bis 10 V)
  • Sperrverzögerungsladung (Qrr)
    • ISC016N08NM8, ISC016N08NM8SC: 162 nC (typisch) (VR = 40 V, IF = 50 A, diF/dt = 100 A/μs)
    • ISC019N10NM8SC: 53 nC (typisch) (VR = 50 V, IF = 25 A, diF/dt = 100 A/μs)

Gehäuse & Schaltungsdiagramme

Tabelle - Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2026-03-04 | Aktualisiert: 2026-03-17