Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs
Mit der Entwicklung und Einführung der ersten MOSFETs mit Hexaganol-Topologie im Jahre 1979 leistete Infineon Pionierarbeit im Bereich HEXFET-Leistungs-MOSFET-Technologie. Für diese Entwicklungen wurde bereits vier Jahre später ein umfassendes Patent erteilt und seitdem haben die meisten MOSFET-Hersteller die Designs und Verfahren lizenziert, die in diesem Markt eingeführt werden. Produkte von IR zeichnen sich durch den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand des MOSFETs im Vergleich mit ähnlichen Komponenten ihrer Klasse aus und ermöglichen Leistungsumwandlungs-Subsystemdesigns, die einen bisher unerreichten Wirkungsgrad aufweisen. IR kombiniert die fortschrittliche Silizium-Technologie mit innovativer Verpackungstechnologie. Die POWIRTAB™-, Super-220™- und Super-247-Gehäuse von IR ermöglichen bis zu 20 A mehr Strom pro Bauteil mit demselben Footprint wie Standard-Gehäuse und erhöhen dadurch die Leistungsdichte. Die FlipFET®-Gehäusetechnologie von IR ist mit Standard-Lötverfahren zur Oberflächenmontage kompatibel, bietet ein Silizium-zu-Footprint-Verhältnis von 100 % mit der gleichen Leistungsfähigkeit wie herkömmliche Gehäuse und ist dadurch die ideale Lösung für tragbare Geräte, wie z. B. tragbare Telefone oder Notebooks. Das DirectFET®-Gehäuse von IR revolutioniert das Wärmemanagement im Footprint eines Standard-SO-8-Gehäuse, indem die Hitze des Boards über die Oberseite des Gehäuses abgeführt wird. Infolgedessen können DirectFET-MOSFETs die Stromdichte verdoppeln und gleichzeitig die Kosten für das Wärmemanagement in Hochstromschaltungen, die Mikroprozessoren der nächsten Generation betreiben, um die Hälfte reduzieren.
Audio
Mit der Verbesserung der Audioqualität werden Audioverstärker der Klasse D schnell zur bevorzugten Lösung für Heimaudio-/Videosysteme. Infineon hat seine moderne Hochspannungstechnologie dazu genutzt, leistungsstarke MOSFETs und Gate-Treiber-ICs für Audioapplikationen der Klasse D anzubieten. In Kombination mit unserer branchenführenden Robustheit von Bauteilen ermöglichen wir den Kunden, Audiosysteme mit höherer Leistungsfähigkeit, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit bereitzustellen.
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Unterhaltungselektronik
Infineon bietet eine Produktfamilie von synchronen 30-V-Abwärts-MOSFETs für synchrone Punktlast(POL)-DC/DC-Wandler an. Die SO-8-Synchron-MOSFETs sind für Applikationen mit hoher Dichte ausgelegt, die eine kleine Größe, einen hohen Wirkungsgrad und eine verbesserte Wärmeleitung erfordern. Dadurch sind sie besonders für Notebook-Applikationen und Punktlast(POL)-Wandler geeignet, die in Servern sowie in erweiterten Telekommunikations- und Datenkommunikationssystemen verwendet werden.
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Industrie
Mit der Weiterentwicklung des Industriemarkts erhöht sich der Bedarf an zuverlässigen und robusten Schaltbauteilen. Die zunehmende Notwendigkeit von höherer Leistung und einer längeren Batterielaufzeit in neueren Designs, wie z. B. bei Gabelstaplern, unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen (USV), Elektrowerkzeugen, E-Bikes und anderen mit DC-Motor betriebenen Systemen, besteht weiterhin und stoßen an die Grenzen von Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit. Der Bedarf an stabilen und effizienten MOSFETs ist ein integraler Bestandteil dieser Designs. Mit dem neuesten Angebot von Leistungs-MOSFETs von Infineon werden die Anforderungen dieser Applikationen erfüllt, da sie branchenweit die leistungsstärksten Bauteile im zuverlässigsten Gehäuseangebot bieten.
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Netzteil
Stromversorgungs-MOSFETs von Infineon sind für eine AC/DC-Synchrongleichrichtung in Servern, Laptops, Adapters und Desktop-Netzteilen ausgelegt. Angesichts des fortwährenden Bestrebens nach immer höheren Leistungsdichten und schnelleren Datenverarbeitungsschaltungen, nimmt auch die Nachfrage nach Stromversorgungen mit höherer Dichte weiterhin zu. Dieses Produkt ermöglicht eine höhere Leistungsdichte, indem der RDS(on) im Vergleich mit früheren Industriestandards um bis zu 10 % reduziert wurde, und dank des verbesserten RDS(on) bietet es eine hervorragende Synchrongleichrichtungsleistung in AC/DC-SNT-Applikationen.
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