IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs
IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.
Features
- IXYS advanced low gate charge process
- International standard packages
- Low gate charge and capacitance
- Low RDS(on)
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Molding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
Associated Products
IXYS HiPerFET™ Leistungs-MOSFETs der X3-Klasse
N-Kanal-MOSFETs mit Anreicherungsmodus und Avalanche-Einstufung.
IXYS HiPerFET- und MOSFET-Leistungsbauteile
Erhältlich im SMPD-Gehäuse, das viel leichter als vergleichbare herkömmliche Leistungsmodule ist.
IXYS Standard-n-Kanal-HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs
Sowohl für hartes Schalten als auch Resonanzmodus-Applikationen mit geringer GATE elektrischer Ladung & ausgezeichneter Robustheit.
IXYS Q-Klasse HiPerFET™ Leistungs-MOSFETs
Sowohl für harte Schaltmodus- als auch Resonanzmodus-Applikationen mit geringer Gate-Ladung und ausgezeichneter Robustheit.
IXYS HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs der Q3-Klasse
Ein großes Angebot von Bauteilen, die eine außergewöhnliche Stromschaltleistung aufweisen.
IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs
Offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and high current of up to 600A.
IXYS TrenchT3 HiPerFET 60 V Leistungs-MOSFETs
Robuste Geräte mit extrem niedrigen On-Widerstand, die speziell für industrielle Stromrichter-Applikationen entwickelt wurden.
IXYS 40V TrenchT4 Leistungs-MOSFETs
Einfache Montage zur Verbesserung der n-Kanal-MOSFETs, die in internationalen Standardgehäusen untergebracht sind.
IXYS X-Class Power MOSFETs
Easy-to-mount high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs with a low RDS(ON) and QG.
IXYS Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™
Für hocheffiziente Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen mit geringer Gate-Ladung.
IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™
Avalanche-fähige schnelle intrinsische Dioden mit n-Kanal-Anreicherungsmodus.
IXYS X4-Klasse 135-V- bis 150-V-Leistungs-MOSFETs
Leistungs-MOSFETs, die mit wesentlich geringerem Widerstand RDS(on) und Gate-Ladung Qg erhältlich sind.
IXYS IXT X4 200-V-Ultra-Junction-Leistungs-MOSFETs
N-Kanal-Bauelemente mit entweder 10,6 mΩ, 13 mΩ oder 21 mΩ RDS(on) und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 200 V.