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IXYS IX4 Ultra-Junction Leistungs-MOSFETs

IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs von IXYS sind Avalanche-geprüfte n-Kanal Enhancement-MOSFETs mit einer Drain-Source-Durchschlagspannung von 200 V. Die IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs von IXYS werden in einem TO-220 (IXTP) oder TO-263 (IXTA) Gehäuse geliefert und bieten 86 A oder 94 A kontinuierlichen Drainstrom.

Merkmale

  • 1-channel
  • n-Kanal-Anreicherungstyp
  • Avalanche-eingestuft
  • 200 V Drain-Source-Durchschlagspannung
  • Dauersenkenstrom
    • 86 A (IXTA86N20X4 und IXTP86N20X4)
    • 94 A (IXTA94N20X4 und IXTP94N20X4)
  • RDS(on) Drain-Source-Widerstand
    • 10,6 mΩ (IXTA94N20X4 und IXTP94N20X4)
    • 13 mΩ (IXTA86N20X4 und IXTP86N20X4)
  • Gehäuse
    • TO-220 (IXTP86N20X4, IXTP94N20X4 und 747-IXTP120N20X4)
    • TO-263 (IXTA86N20X4 und IXTA94N20X4)
    • TO-247 (747-IXTH120N20X4)

Schaltplan

Schaltplan - IXYS IX4 Ultra-Junction Leistungs-MOSFETs

Datenblätter

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Veröffentlichungsdatum: 2022-01-12 | Aktualisiert: 2022-03-16