IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
Der IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET ist ein industrietauglicher Einzelschalter-SiC-MOSFET, der Leistungszykluseigenschaften und ein sehr schnelles, verlustarmes Schaltverhalten aufweist. Dieser MOSFET zeichnet sich durch geringe Leitungsverluste, niedrige Gate-Antriebsleistungsanforderungen sowie einen geringen Aufwand für das Wärmemanagement aus und ist für die Gate-Steuerung optimiert. Der IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET wird für hochgeschwindigkeitsfähige industrielle Schaltnetzteile verwendet. Dieser SiC-MOSFET ist ideal für Solarwechselrichter, Schaltnetzteile, USV- Anlagen, Motorantriebe, DC/DC-Wandler, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge und Induktionserwärmung.
Merkmale
- 1200 V Drain-Source-Spannung
- 30 mΩ Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS(on)
- SiC-MOSFET-Technologie mit -3/+15 bis 18 V GATE-Ansteuerung
- Eingangskapazität von 3000 pF
- Maximale virtuelle Sperrschichttemperatur von Tvj = +175 °C
- Hohe Sperrspannung mit niedrigem Einschaltwiderstand
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- Ultraschnelle intrinsische Body-Diode mit Trr = 54,8 ns
- Kelvin-Quellenanschluss
- Feuchteempfindlichkeit 1 (MSL 1) zertifiziert
- Gesamte Verlustleistung von 395 W bei Tc = 25 °C
Applikationen
- Solarwechselrichter
- Schaltnetzteile
- USV
- Motorantriebe
- DC/DC-Wandler
- EV-Ladeinfrastruktur
- Induktionserwärmung
Maßbild
Verwandter SiC-MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
Veröffentlichungsdatum: 2025-02-28
| Aktualisiert: 2026-04-13