IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)]. Der Einschaltwiderstand liegt zwischen 25 mΩ und 160 mΩ, und der Dauersenkenstrom (ID) liegt zwischen 20 A und 111 A. Diese Bauteile bieten Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit geringer Kapazität und verfügen über eine ultraschnelle intrinsische Body-Diode. Diese sind mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von 650 V oder 1.200 V verfügbar. Die IXYS IXSxNxL2Kx MOSFETs aus Siliciumcarbid (SiC) werden in drei Gehäusen angeboten (TO-263-7L, TOLL-8 und TO-247-4L).
Merkmale
- SiC-MOSFET-Technologie mit –3/+15 V bis 18 V Gate-Drive (IXSA65N120L2-7TR, IXSA110N65L2-7TR, IXSG110N65L2K, IXSH65N120L2KHV und IXSH100N65L2KHV)
- Hohe Sperrspannung bei geringem Einschaltwiderstand
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- Hohe Sperrschicht-Betriebstemperaturbelastbarkeit (IXSG40N65L2K, IXSG60N65L2K, IXSG110N65L2K)
- Ultraschnelle intrinsische Body-Diode
- Kelvin-Quellenkontakt
- Maximale virtuelle Sperrschichttemperatur von Tvj = +175 °C (IXSA20N120L2-7TR, IXSA40N65L2-7TR, IXSA60N65L2-7TR, IXSA65N120L2-7TR, IXSA110N65L2-7TR, IXSH20N120L2KHV, IXSH40N65L2KHV, IXSH60N65L2KHV, IXSH65N120L2KHV und IXSH100N65L2KHV)
- MSL1-bewertet
Applikationen
- IXSA20N120L2-7TR
- EV-Ladeinfrastrukturen
- Blindleistungskompensation
- Telekommunikations-Serverleistung
- Motorantriebe
- Solar-Booster
- Industrielle Stromversorgung
- Energiespeichersysteme
- IXSH100N65L2KHV
- EV-Ladeinfrastruktur
- Solarumrichter
- DC/DC-Wandler
- Industrie-SNTs
- Energiespeichersystem
- UPS
- IXSG40N65L2K, IXSG60N65L2K und IXSG110N65L2K
- EV-Ladeinfrastrukturen
- Induktionserwärmung
- Treiber für Motoren
- Umrichter
- Schaltnetzteile
- Energiespeichersysteme
- IXSA60N65L2-7TR
- EV-Ladeinfrastrukturen
- Solar-Booster
- Schaltnetzteile
- UPS
- Energiespeichersysteme
- IXSA40N65L2-7TR, IXSH20N120L2KHV, IXSH40N65L2KHV, IXSH60N65L2KHV und IXSH65N120L2KHV
- Schaltnetzteile
- UPS
- EV-Ladeinfrastrukturen
- Energiespeichersysteme
- IXSA110N65L2-7TR
- Schaltnetzteile
- UPS
- Motorantriebe
- Induktionserwärmung
- Solar-Booster
- Energiespeichersystem
- IXSA65N120L2-7TR
- EV-Ladeinfrastruktur
- PV-Umrichter
- Blindleistungskompensation
- Induktionserwärmung
- Energiespeichersystem
Pinbelegungsdiagramme
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| Teilnummer | Datenblatt | Verpackung/Gehäuse | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Pd - Verlustleistung | Qg - Gate-Ladung |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXSH65N120L2KHV |  |
TO-247-4L | 1.2 kV | 65 A | 52 mOhms | 375 W | 110 nC |
| IXSA65N120L2-7TR | |
TO-263-7L | 1.2 kV | 65 A | 53 mOhms | 417 W | 110 nC |
| IXSG110N65L2K | |
TOLL-8 | 650 V | 111 A | 33 mOhms | 600 W | 125 nC |
| IXSA110N65L2-7TR | |
TO-263-7L | 650 V | 111 A | 33 mOhms | 600 W | 125 nC |
| IXSA40N65L2-7TR | |
TO-263-7 | 650 V | 43 A | 78 mOhms | 174 W | 64 nC |
| IXSA60N65L2-7TR | |
TO-263-7 | 650 V | 60 A | 53 mOhms | 249 W | 94.7 nC |
| IXSH100N65L2KHV | |
TO-247-4L | 650 V | 99 A | 33 mOhms | 454 W | 125 nC |
| IXSH20N120L2KHV | |
TO-247-4 | 1.2 kV | 20 A | 208 mOhms | 136 W | 29 nC |
| IXSH40N65L2KHV | |
TO-247-4 | 650 V | 43 A | 78 mOhms | 174 W | 64 nC |
| IXSA20N120L2-7TR | |
TO-263-7 | 1.2 kV | 20 A | 208 mOhms | 136 W | 29 nC |
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-10
| Aktualisiert: 2025-09-24