IXYS LSIC1MO120G0x n-Kanal-SiC-MOSFETs

Die LSIC1MO120G0x n-Kanal-SiC-MOSFETs von IXYS bieten eine Drain-Source-Nennspannung von 1200 V, einen Widerstandsbereich von 25 mΩ bis 160 mΩ und Ströme von 14 A bis 70 A. Diese MOSFETs sind für Hochfrequenzapplikationen mit hohem Wirkungsgrad optimiert und verfügen über einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, einen niedrigen Gate-Widerstand und einen Normal-Aus-Betrieb bei allen Temperaturen. Die LSIC1MO120G0x n-Kanal-SiC-MOSFETs von IXYS eignen sich hervorragend für Solarwechselrichter, Schaltnetzteile, Motorantriebe, Akkuladegeräte und vieles mehr.