IXYS Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™
Die Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™ von IXYS sind für hocheffiziente und schnelle Leistungsschaltapplikationen konzipiert. Die Ultra-Junction-MOSFETs der X2-Klasse bieten eine geringe Gate-Ladung und ausgezeichnete Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode. Diese MOSFETs sind in vielen Standard-Industriegehäusen, einschließlich isolierter Typen, erhältlich. Typische Anwendungsfälle sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, DC/DC-Wandler, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik und Servosteuerungen.
Die MOSFETs der X2-Klasse zeichnen sich durch einen niedrigen ON-State-Widerstand, eine geringe Gate-Ladung und eine hervorragende dv/dt-Leistung aus. Diese MOSFETs wurden unter Verwendung des Ladungskompensationsprinzips und einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt. Die MOSFETs der X2-Klasse sind mit einer schnellen Soft-Recovery-Diode ausgestattet, die Schaltverluste und elektromagnetische Interferenzen (EMI) reduziert.
Merkmale
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
- Schnelle Body-Diode
- Dv/dt-Robustheit
- Hoher Wirkungsgrad
- Hohe Leistungsdichte
- Avalanche-geprüft
- Geringe Gehäuse-Induktivität
- Internationale Standardgehäuse
- Leichte Montage
- Platzsparend
Applikationen
- Industrielle Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
- AC- und DC-Motorantriebe
- DC/DC-Wandler
- Wechselrichter für erneuerbare Energien
- Schaltungen zur Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
- Robotik und Servosteuerung
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