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Littelfuse LX5 Empfindlicher Gate-TRIAC mit 0,5 A

Die Baureihe LX5 von empfindlichen Gate-TRIACs mit 0,5 A von Littelfuse ist eine Baureihe bidirektionaler Halbleiterschalter, die eine direkte Schnittstelle zu Mikroprozessortreibern in einem SOT-23-Gehäuse bietet. Sie ist für stromsparende AC-Schaltapplikationen wie E-Ventil- und AC-Magnetantriebe ausgelegt. Die Chip-Spannungssperrverbindungen des LX5 von Littelfuse sind glaspassiviert, um eine langfristige Zuverlässigkeit und Parameterstabilität zu gewährleisten.

Merkmale

  • RoHS-konform und halogenfrei
  • Gehäuse zur Aufbaumontage
  • Statischer dv/dt bis zu 100 V/μs
  • Sperrspannung(VDRM)-Fähigkeit bis zu 600 V
  • Stromstoßfähigkeit bis zu 9,5 A

Applikationen

  • Ersatz für mechanische Schalterkontakte, um eine längere Lebensdauer zu erreichen
  • Türklingeln
  • Türschlösser
  • Elektroventile
  • Thermostate
  • AC-Magnetantriebe

Technische Daten

  • Nicht-periodische Spitzensperrspannung (VDSM/VRSM) von 700 V (tp=50 us, Tvj=25 °C)
  • Periodische Spitzensperrspannung (VDRM/VRRM) von 600 V
  • RMS-Durchlassstrom von 0,5 A (IT(RMS)) (Tc=60 °C)
  • Nicht periodischer Spitzen-Durchlassstrom (ITSM) von 8 A (f=50 Hz)/9,5 A (f=60 Hz)
  • I2t-Wert für Sicherung (I2t) von 0,32 A2s (tp=10 ms)/0,41 A2s (tp=8,3 ms)
  • Kritische Anstiegsrate des Durchlassstroms (di/dt) von 50 A/µs (f=60 Hz, Tvj=125 °C)
  • Spitzen-Gate-Trigger-Strom (IGTM) von 1 A (tp=20 µs, Tvj=125 °C)
  • Durchschnittliche Gate-Verlustleistung (PG(AV)) von 0,1 W (Tvj=125 °C)
  • Lagertemperaturbereich (Tstg) von -50 °C bis 150 °C
  • Virtueller Sperrschichttemperaturbereich (Tvj) von -40 °C bis 125 °C
  • DC-Gate-Trigger-Strom (IGT) von 5 mA (max.) (Quadrant I-II-III) 9 mA (max.) (Quadrant IV)
  • DC-Gate-Trigger-Spannung (VGT) von 1,3 V (max.) (Quadrant I-II-III) 1,2 V (typ.) (Quadrant IV)
  • Gate-Nicht-Trigger-Spannung (VGD) von 0,2 V (min.)
  • Haltestrom (IH) von 5 mA (max.)
  • Kritische Anstiegsrate der Sperrspannung (dv/dt(cr)) von 100 V/µs (min.)
  • Kritische Anstiegsrate der Kommutierungsspannung (dv/dt(com)) von 5 V/µs (min.)
  • Einschaltzeit (tgt) von 2,5 µs (typisch)
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-22 | Aktualisiert: 2025-04-25