Microchip Technology MCP649x EMI-Filter-Operationsverstärker
Die EMI-Filter-Operationsverstärker MCP649x von Microchip Technology arbeiten mit einer Versorgungsspannung von nur 1,8 V und haben einen geringen Ruhestrom von 2,5 mA (maximal pro Verstärker). Diese Operationsverstärker verfügen über eine niedrige Eingangs-Offset-Spannung (±1,6 mV max.), einen Rail-to-Rail-Ein-/Ausgangsbetrieb, eine Verstärkungsbandbreite von 30 MHz (typisch) und einen stabile Verstärkungsfaktor. Der EMI-Schutz reduziert die Auswirkungen von elektromagnetischen Störungen von externen Quellen, wodurch sich die Komponenten für EMI-empfindliche Applikationen eignen, beispielsweise Stromleitungen, Funkstationen und die mobile Kommunikation. Die Operationsverstärker werden in Einzel(MCP6496)-, Dual(MCP6497)- und Quad(MCP6499)-Gehäusen angeboten. Die MCP649x EMI-Filter-Operationsverstärker von Microchip Technology werden mit einem fortschrittlichen CMOS-Prozess erstellt und im erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C vollständig spezifiziert.
Merkmale
- Verbesserter EMI-Schutz
- Rail-to-Rail-Ein-/Ausgang
- Verstärkungsfaktor Eins
- Keine Phasenumkehrung
- AEC-Q100-qualifiziert
- Kleine Gehäuseoptionen
- Single in SC70-5 und SOT-23-5
- Dual in SOIC-8 und MSOP-8
- Quad in SOIC-14 und TSSOP-14
Applikationen
- Fahrzeuganwendungen
- Tragbare Ausrüstung
- Medizinische Diagnosegeräte
- Aktive Filter
- Sensorkonditionierung
Technische Daten
- Offsetspannung bei niedrigem Eingang: ±1,6 mV (maximal)
- Eingangsoffsetdrift mit Temperatur: ±0,6 µV/°C
- Typischer Versorgungsspannungsdurchgriff: 100 dB
- Typische DC-Open-Loop-Verstärkung von 130 dB (großes Signal)
- Verstärker-Ruhestrom: 2,5 mA (maximal)
- Verstärkungsbandbreite: 30 MHz (typischerweise)
- Phasenspanne: 53° (typischerweise)
- Anstiegsrate: 40 V/µs (typischerweise)
- Typische Einschwingzeit: 0,4 µs bis 0,5 µs
- Versorgungsspannungsbereich: 1,8 V bis 5,5 V
- Schnelle Anlaufzeit: 2 µs (typischerweise)
- Typischer Nebensignaleffekt: 122 dB
- Thermischer Widerstandsbereich: +120 °C/W bis +331 °C/W
- Erweiterter Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
Gehäuse
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Veröffentlichungsdatum: 2023-01-30
| Aktualisiert: 2023-02-06