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Microsemi APT40SM120 SiC-Leistungs-MOSFETs

Microsemi APT40SM120 SiC-Leistungs-MOSFETs

Die SiC-Leistungs-MOSFETs APT40SM120 von Microsemi bieten eine erhöhte Leistungsfähigkeit in Hochspannungsapplikationen im Vergleich zu Silizium-MOSFET/IGBT-Lösungen. Die MOSFETs APT40SM120 ermöglichen ein leichteres, kompakteres System, das sie sehr effizient macht. Die MOSFETs ermöglichen einen einfachen Antrieb und eine einfache Parallelschaltung. Die Bauelemente machen die Notwendigkeit einer externen Freilaufdiode überflüssig und bieten gleichzeitig verbesserte thermische Eigenschaften und niedrigere Schaltverluste. Zu den Merkmalen gehören eine hervorragende Avalanche-Robustheit und schnelle Schaltgeschwindigkeit aufgrund des geringen internen Gatter-Widerstands (ESR). Der APT40SM120 bietet einen stabilen Betrieb auch bei einer hohen Sperrschichttemperatur von +175 °C. Die MOSFETs verfügen über einen Drainstrom von 32 A (APT40SM120J) oder 36 A (APT40SM120S), eine Durchschlagspannung von 1200 V und einen Einschaltwiderstand von max. 100 Ω. Die Applikationen umfassen H/EV-Antriebsstrang und EV-Ladegerät, Induktionserwärmung und -schweißen, intelligente Netzübertragung und -verteilung, Stromversorgung und -verteilung sowie PV-Umrichter, Wandler und industrielle Motorantriebe.

Merkmale
  • Schnelle und bewährte Bodydiode
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit aufgrund des geringen internen Gatter-Widerstands (ESR)
  • Niedrige Kapazitäten und niedrige Gatter-Ladung
  • Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur Tj (max.) = +175 °C
  • Hohe Avalanche-Robustheit
Vorteile
  • Beseitigt die Notwendigkeit von externen Freilaufdioden
  • Hohe Effizienz für ein leichteres / kompaktes System
  • Verbesserte thermische Eigenschaften und niedrigere Schaltverluste
  • Niedrige Betriebskosten
  • Einfacher Antrieb und einfache Parallelschaltung
Technische Daten
  • 32 A (APT40SM120J) oder 36 A (APT40SM120S) Drain-Gleichstrom
  • 1200 V Drain-Source-Durchschlagspannung
  • 80 mΩ Drain-Source-Widerstand
  • -10 V bis +25 V Gate-Source-Spannung
  • 100 Ω max. Durchlasswiderstand
  • -55 °C bis +175 °C max. Betriebstemperatur
Applikationen
  • H/EV-Antriebsstrang und EV-Ladegerät
  • Induktionserwärmen und -schweißen
  • Stromversorgung und -verteilung
  • PV-Umrichter, Wandler und industrielle Motorantriebe
  • Intelligente Netzübertragung und -verteilung
eNews
  • Microsemi
Veröffentlichungsdatum: 2017-08-17 | Aktualisiert: 2017-08-17