Micron 176-Layer-NAND-Universal-Flash-Speicher (UFS) 3.1
Der Micron 176-Layer NAND-Universal-Flash-Speicher (UFS) 3.1 ist eine blitzschnelle Flash-Speicherlösung, die auf der 3D-Ersatz-Gate-Technologie basiert, die für High-End- und Flagship-Telefone optimiert ist. Der 176-Layer-UFS 3.1 erschließt das Potenzial von 5G mit bis zu 75 % schnellerer sequentieller Schreib- und zufälliger Leseleistung als die vorherige 96-Layer-Generation und ermöglicht das Herunterladen von zweistündigen 4K-Filmen in nur 9,6 s. Der 176-Layer-UFS 3.1 von Micron verfügt über ein kompaktes Design, das sich hervorragend für die hohe Kapazität und kleine Formfaktoren eignet, die in mobilen Geräten erforderlich sind. Der 176-Layer NAND UFS 3.1 von Micron wird in Kapazitäten von 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1 TB und 2 TB angeboten.
Merkmale
- Verbesserte Leistung – 75 % schnelleres sequentielles Schreiben und 70 % schnellere zufällige Leseleistung gegenüber der vorherigen 96-Layer-Generation
- Verbesserte Beständigkeit um bis zum Doppelten der insgesamt geschriebenen Bytes im Vergleich zum vorherigen Produkt der 96-Layer-Generation können doppelt so viele Daten gespeichert werden, ohne die Zuverlässigkeit des Bauteils zu beeinträchtigen.
- Schnellere Downloads – Möglichkeit zum Herunterladen eines 10-minütigen 4K (2.160 Pixel) YouTube-Videostreams in 0,7 s oder eines zweistündigen 4K-Films in 9,6 s
- Reibungsloseres mobiles Erlebnis - 10 % kürzere Latenzzeit als die vorherige 96-Layer-Generation für schnellere Reaktionszeiten und ein zuverlässigeres mobiles Erlebnis
Applikationen
- Mobilgeräte
- Fahrzeuganwendungen
- Klientel
- Unterhaltungselektronik
- Rechenzentren
- Flash-Übernahme in Workloads, wie z. B. Datenseen, künstliche Intelligenz und Big-Data-Analysen
Videos
Veröffentlichungsdatum: 2021-09-01
| Aktualisiert: 2023-02-16