Micron Asynchroner/synchroner NAND-Flash-Speicher mit 256 GB

Die asynchronen/synchronen NAND-Flash-Speicherbauteile mir 256 GB von Micron verwenden einen hochgradig multiplexen 8-Bit-Bus (DQx) zur Übertragung von Befehlen, Adressen und Daten. Das Speicherbauteil bietet eine Single-Level Cell (SLC)-Architektur für überragende Lebensdauer und Datensicherheit. Diese Bauteile verfügen über fünf Steuersignale zur Implementierung der asynchronen Datenschnittstelle CE#, CLE, ALE, WE# und RE#. Zusätzliche Signale steuern den Hardware-Schreibschutz (WP#) und überwachen den Bauteilstatus (R/B#). Das NAND-Flash-Bauteil verfügt zusätzlich über eine synchrone Datenschnittstelle für leistungsstarke I/O-Operationen. Diese NAND-Flash-Speicher arbeiten mit einer Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V und einer I/O Spannung von 1,8 V und sind daher ideal für stromsparende Designs. Der 256-GB-NAND-Flash-Speicher ist in einem 100-Ball-LBGA-Gehäuse (12 mm x 18 mm) erhältlich. Diese Speicherbauteile unterstützen einen erweiterten Temperaturbereich von –40 °C bis 85 °C für Zuverlässigkeit auf Industrieniveau. Die asynchronen/synchronen 256-GB- eignen sich ideal für Fahrzeugsysteme, Industriesteuerungen, Netzwerkgeräte und hochzuverlässige eingebettete Speicherlösungen.

Merkmale

  • Entspricht der Open-NAND-Flash-Interface (ONFI) 2.2-Spezifikation1
  • Single-Level Cell-(SLC)-Technologie
  • Organisation:
    • Seitengröße x 8: 8640 Byte (8192 + 448 Byte)
    • Blockgröße: 128 Seiten (1024K + 56KBytes)
    • Ebeneneröße: 2 Ebenen x 2048 Blöcke pro Ebene
    • Bauteilgröße 256 GB 32,768 Blöcke
  • Synchrone I/O-Leistung:
    • Bis zum synchronen Timing-Modus 5
    • 10 ns (DDR) Taktrate
    • 200 MT/s Lese-/Schreibdurchsatz pro Pin
  • Asynchrone I/O-Leistung:
    • Bis zum asynchronen Timing-Modus 5
    • 20 ns (min.) tRC/tWC
    • 50 MT/s Lese-/Schreibdurchsatz pro Pin
  • Array-Leistung:
    • Lese-Seite: 35 µs (maximal)
    • Programmierseite: 350 µs (typisch)
    • Löschen von Blöcken. 1,5 ms (typisch)
  • Betriebsspannungsbereich: 2,7 V bis 3,6 V VCC
  • ONFI NAND Flash-Protokollbefehlssatz
  • Erweiterter Befehlsatz:
    • Programmierbarer Cache
    • Sequentielles Lesen aus dem Cache
    • Zufälliges Lesen aus dem Cache
    • Einmalig programmierbarer (OTP) Modus
    • Mehr-Ebenen-Befehle
    • Vorgänge mit mehreren LUNs
    • Einmalige ID lesen
    • Copyback
  • Der erste Block (Blockadresse 00h) ist bei der Auslieferung ab Werk gültig
  • Reset (FFh) als erstes Kommando nach dem Einschalten erforderlich
  • Das Betriebsstatus-Byte bietet eine softwarebasierte Methode zur Erkennung
    • Abschluss der Operation
    • Bedingung für Erfolg oder Misserfolg
    • Schreibschutzstatus
  • Data-Strobe-(DQS)-Signale bieten eine Hardwaremethode zur Synchronisierung der DQ-Daten in der synchronen Schnittstelle
  • Copyback-Operationen werden innerhalb der Ebene unterstützt, aus der die Daten gelesen werden
  • Qualität und Zuverlässigkeit
    • Datenhaltung gemäß JESD47G
    • Lebensdauer von 80.000 PROGRAMMIER-/LÖSCH-Zyklen
  • PEM-INST-001-kompatibel
  • Strahlungscharakterisierungsinformationen gemäß MILSTD-750 TM1019 Bedingung D und MILPRF-19500/357
  • Industrieller Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C
  • 100-ball BGA-Gehäuse

Applikationen

  • Fahrzeugsysteme
  • Industrielle Controller
  • Netzwerkausstattung
  • Hochzuverlässige Embedded-Speicherlösungen
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-15 | Aktualisiert: 2025-10-31