Micron Asynchroner/synchroner NAND-Flash-Speicher mit 256 GB
Die asynchronen/synchronen NAND-Flash-Speicherbauteile mir 256 GB von Micron verwenden einen hochgradig multiplexen 8-Bit-Bus (DQx) zur Übertragung von Befehlen, Adressen und Daten. Das Speicherbauteil bietet eine Single-Level Cell (SLC)-Architektur für überragende Lebensdauer und Datensicherheit. Diese Bauteile verfügen über fünf Steuersignale zur Implementierung der asynchronen Datenschnittstelle CE#, CLE, ALE, WE# und RE#. Zusätzliche Signale steuern den Hardware-Schreibschutz (WP#) und überwachen den Bauteilstatus (R/B#). Das NAND-Flash-Bauteil verfügt zusätzlich über eine synchrone Datenschnittstelle für leistungsstarke I/O-Operationen. Diese NAND-Flash-Speicher arbeiten mit einer Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V und einer I/O Spannung von 1,8 V und sind daher ideal für stromsparende Designs. Der 256-GB-NAND-Flash-Speicher ist in einem 100-Ball-LBGA-Gehäuse (12 mm x 18 mm) erhältlich. Diese Speicherbauteile unterstützen einen erweiterten Temperaturbereich von –40 °C bis 85 °C für Zuverlässigkeit auf Industrieniveau. Die asynchronen/synchronen 256-GB- eignen sich ideal für Fahrzeugsysteme, Industriesteuerungen, Netzwerkgeräte und hochzuverlässige eingebettete Speicherlösungen.Merkmale
- Entspricht der Open-NAND-Flash-Interface (ONFI) 2.2-Spezifikation1
- Single-Level Cell-(SLC)-Technologie
- Organisation:
- Seitengröße x 8: 8640 Byte (8192 + 448 Byte)
- Blockgröße: 128 Seiten (1024K + 56KBytes)
- Ebeneneröße: 2 Ebenen x 2048 Blöcke pro Ebene
- Bauteilgröße 256 GB 32,768 Blöcke
- Synchrone I/O-Leistung:
- Bis zum synchronen Timing-Modus 5
- 10 ns (DDR) Taktrate
- 200 MT/s Lese-/Schreibdurchsatz pro Pin
- Asynchrone I/O-Leistung:
- Bis zum asynchronen Timing-Modus 5
- 20 ns (min.) tRC/tWC
- 50 MT/s Lese-/Schreibdurchsatz pro Pin
- Array-Leistung:
- Lese-Seite: 35 µs (maximal)
- Programmierseite: 350 µs (typisch)
- Löschen von Blöcken. 1,5 ms (typisch)
- Betriebsspannungsbereich: 2,7 V bis 3,6 V VCC
- ONFI NAND Flash-Protokollbefehlssatz
- Erweiterter Befehlsatz:
- Programmierbarer Cache
- Sequentielles Lesen aus dem Cache
- Zufälliges Lesen aus dem Cache
- Einmalig programmierbarer (OTP) Modus
- Mehr-Ebenen-Befehle
- Vorgänge mit mehreren LUNs
- Einmalige ID lesen
- Copyback
- Der erste Block (Blockadresse 00h) ist bei der Auslieferung ab Werk gültig
- Reset (FFh) als erstes Kommando nach dem Einschalten erforderlich
- Das Betriebsstatus-Byte bietet eine softwarebasierte Methode zur Erkennung
- Abschluss der Operation
- Bedingung für Erfolg oder Misserfolg
- Schreibschutzstatus
- Data-Strobe-(DQS)-Signale bieten eine Hardwaremethode zur Synchronisierung der DQ-Daten in der synchronen Schnittstelle
- Copyback-Operationen werden innerhalb der Ebene unterstützt, aus der die Daten gelesen werden
- Qualität und Zuverlässigkeit
- Datenhaltung gemäß JESD47G
- Lebensdauer von 80.000 PROGRAMMIER-/LÖSCH-Zyklen
- PEM-INST-001-kompatibel
- Strahlungscharakterisierungsinformationen gemäß MILSTD-750 TM1019 Bedingung D und MILPRF-19500/357
- Industrieller Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C
- 100-ball BGA-Gehäuse
Applikationen
- Fahrzeugsysteme
- Industrielle Controller
- Netzwerkausstattung
- Hochzuverlässige Embedded-Speicherlösungen
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-15
| Aktualisiert: 2025-10-31
