Micron DDR4 SDRAM-Speicher
Der Micron DDR4 (Double Data Rate 4) SDRAM ist ein dynamischer Hochgeschwindigkeits-Random-Access-Speicher. Er ist intern als 8-Bank-DRAM für die x16-Konfiguration und als 16-Bank-DRAM für die x4- und x8-Konfigurationen ausgelegt. Diese Bauteile mit hoher Dichte ermöglichen Systemdesignern, mehr verfügbaren Speicher mit der gleichen Anzahl von Platzierungen zu nutzen, was zur Erhöhung der Bandbreite oder des unterstützten Funktionssatzes eines Systems beitragen kann. DDR4-Speicher ermöglicht es Entwicklern auch, die gleiche Dichte mit weniger Platzierungen beizubehalten, was zur Kostensenkung beiträgt.Der Micron DDR4-SDRAM-Speicher wird strengstens auf die extremen Temperatur- und Leistungsanforderungen von Industrie- und Automobilanwendungen getestet.
Merkmale
- Optimiert für Kosten/Leistung/Kapazität und Datenraten bis zu 32.000 Mb/s
- Erhöht die Bandbreite um bis zu 50 % gegenüber DDR3
- Niedrige 1,2-V-Spannungsaufnahme (Core und I/O) reduziert den Strombedarf des Speichers
- Energiesparfunktionen können den Gesamtstrombedarf gegenüber DDR3 um 35 % senken
- Der Konnektivitätstestmodus ermöglicht eine frühzeitige Fehlererkennung während des Systemtests und verkürzt so die Fehlerbehebungszeit, was Entwicklungs- und Produktionskosten spart.
- Center Bond Pads für höchste Leistung und niedrigste Kosten
- Verbesserte Datensignalintegrität und Systemzuverlässigkeit; ODT, DBI, Befehls-/Adressenparität und CRC
- Unterstützt bis zu 16 Gb Single-Die-Dichte
- Unterstützung von Mulit-Rank-Gehäusen
- Speichersubsystem mit höherer Kapazität mit bis zu 4-Die-Stapelung
- Verfügbar in FBGA-78- und FBGA-98-Gehäusen
- Optionen für die Betriebstemperatur
- 0 °C bis +95 °C
- -40 °C bis +95 °C
- -40 °C bis +105 °C
- -40 °C bis +125 °C
Applikationen
- Cloud-Server und Rechenzentren
- Fahrzeuganwendungen
- Interaktives Wellness-Coaching und personalisierte Gesundheitsüberwachung
- Industrielles IoT und Industrie 4.0
- Gaming-PCs
- Edge- und Videoüberwachungsserver
Datenblätter
Vergleich DDR4 und DDR3
Veröffentlichungsdatum: 2021-11-12
| Aktualisiert: 2026-02-02
