Murata WBSC drahtbondbare vertikale Si-Kondensatoren

Murata WBSC Drahtbondbare vertikale Siliziumkondensatoren eignen sich hervorragend für die DC-Entkopplung und sind für Applikationen ausgelegt, bei denen eine Zuverlässigkeit von bis zu 150 °C der wichtigste Parameter ist. Diese Si-Kondensatoren wurden mit einem Halbleiterverfahren entwickelt, das die Integration einer hohen Kapazitätsdichte von 1,55 nF/mm² bis 250 nF/mm² (mit einer betreffenden Durchbruchspannung von 450 V bis 11 V) ermöglicht. Während des Produktionsprozesses wurden die hochzuverlässigen Kondensatoren bei einer hohen Temperatur (über +900 °C) gehärtet, wodurch ein hochreines Oxid erzeugt wurde. Diese Technologie bietet eine branchenführende Leistung, insbesondere in Bezug auf die Stabilität des Kondensators bis zu 150 °C mit einem Temperaturkoeffizienten, der +60 ppm/k entspricht. Darüber hinaus weisen die intrinsischen Eigenschaften des Silizium eine geringe dielektrische Aufnahmefähigkeit und einen niedrigen bis keinen piezoelektrischen Effekt auf, wodurch ein Speichereffekt verhindert wird. Die WBSC drahtbondbaren vertikalen Si-Kondensatoren von Murata sind außerdem RoHS-konform.

Merkmale

  • Niedriges Profil: 250 µm
  • Niedriger Ableitstrom
  • Hohe Stabilität (Temperatur und Spannung)
  • Geringfügiger Kapazitätsverlust durch Alterung
  • Mit Standard-Drahtbondenmontagen kompatibel (Ball und Wedge)

Applikationen

  • Alle anspruchsvollen Applikationen wie Radar, LiDAR, Luft- und Raumfahrt, Drahtlos-Infrastruktur-Kommunikation, Datenübertragungen, Automotive
  • Aufgrund der Flachheit des Pads für Standard-Drahtbondenmethode (Ball und Wedge) anwendbar
  • Entkopplung, DC-Rauschen und Oberwellenfilterung, Anpassungsnetzwerke (Beispiel: GaN-Leistungsverstärker, LDMOS)
  • Applikationen mit hoher Zuverlässigkeit
  • Verkleinerung
  • Applikationen mit niedrigem Profil (250 µm)

Technische Daten

  • Kapazitätsbereich: 100 pF bis 22 nF
  • Kapazitätstoleranz: ±15 %
  • Temperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
  • Temperaturkoeffizient : +60 ppm/K
  • Durchschlagspannungen: 11 V, 30 V, 50 V, 100 V, 150 V und 450 V
  • Alterung: <0,001 %/1.000 Stunden
  • Dicke: 250 µm
Veröffentlichungsdatum: 2019-10-24 | Aktualisiert: 2023-12-01