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Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen

Die Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP- Transistoren mittlerer Leistung sind in einem ultradünnen DFN2020D-3 (SOT1061D) bleifreien kleinen SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Gerät) gekapselt. Diese Nxperia Transistoren sind für eine hohe KollektorstromFähigkeit ausgelegt, wobei der BC51PAS-Q eine Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von -45 V, der BC52PAS-Q von -60 V und der BC53PAST-Q von -80 V bietet. Die Bauteile verfügen über freiliegende Kühlkörper für eine ausgezeichnete thermische und elektrische Leitfähigkeit und eignen sich für Linear-Spannungsregler batteriebetriebene Bauteile MOSFET- Treiber High-Side -Schalter, Leistungsmanagement und Verstärker. Darüber hinaus sind diese Transistoren AEC-Q101-normenkonform, was Zuverlässigkeit in Fahrzeuganwendungen gewährleistet. Die kompakte Bauweise reduziert die Anforderungen an PCB Fläche und unterstützt die automatische optische Inspektion (AOI) von Lötzinn-Verbindungen.

Merkmale

  • IC und ICM mit hoher Kollektorstrom-Fähigkeit
  • Reduzierter Fläche für Leiterplatten (PCB).
  • Auswahl der aktuellen Verstärkung
    • Zwei für BC51xPAS-Q und BC52xPAS-Q
    • Drei für BC53PAST-Q
  • Freiliegender Kühlkörper für hervorragende thermische und elektrische Leitfähigkeit
  • Kleines Leadless-SMD-Plastikgehäuse DFN2020D-3 (SOT1061D) mit mittlerer Leistung
  • Eignet sich für die automatische optische Inspektion (AOI) von Lötstellen
  • Für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen gemäß AEC-Q101 zugelassen

Applikationen

  • Linear-Spannungsregler
  • Batteriebetriebene Geräte
  • MOSFET-Treiber
  • High-Side-Schalter
  • Leistungsmanagement
  • Verstärker

Technische Daten

  • -45 V -60 V, oder -80 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung
  • -1 A maximaler Kollektorstrom, -2 A maximale Spitze
  • -45 V -60 V, oder -100 V maximaler Kollektor-Basis-Spannungsbereich
  • -5 V maximale Emitter-Basis-Spannung
  • -0,3 A maximaler Spitzengrundstrom
  • 0,42 W bis 1,65 W Bereich der maximalen Gesamtverlustleistung
  • -55 °C bis +150 °C Umgebungstemperaturbereich
  • DFN2020D-3 (SOT1061D) Gehäuse, 2 mm x 2 mm x 0,65 mm Gehäuse, 1,3 mm Pitch

Datenblätter

  • BC51xPAS-Q Serie - 45 V 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
  • BC52xPAS-Q Serie - 60 V 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
  • BC53PAST-Q Serie - 80 V 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen

Pinning-Informationen

Technische Zeichnung - Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen

Abmessungen

Technische Zeichnung - Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen

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Veröffentlichungsdatum: 2025-04-04 | Aktualisiert: 2025-04-14