Nexperia MJD2873 NPN 2-A-Hochleistungs-Bipolartransistor mit 50 V

Die MJD2873 NPN 2-A-Hochleistungs-Bipolartransistoren mit 50 V von Nexperia sind in einem oberflächenmontierbaren (SMD) Power-DPAK-TO-252-Kunststoffgehäuse (SOT428C) verfügbar. Diese Bauteile bieten eine hohe thermische Verlustleistungsfestigkeit, reduzierte PCB-Anforderungen und eine hohe Energieeffizienz aufgrund der niedrigen Wärmeentwicklung. Der MJD2873 von Nexperia verfügt über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und schnelle Schaltgeschwindigkeiten. Typische Applikationen für diese Bauteile sind Leistungsmanagement, Lastschalter, Linearmodus-Spannungsregler, Hintergrundbeleuchtungen mit Konstantstromantrieb, Motorantriebe und Ersatz für Relais. Der bipolare Transistor MJD2873-Q ist nach AEC-Q101 qualifiziert.

Merkmale

  • Hohe thermische Verlustleistungsbeständigkeit
  • Hohe Energieeffizienz aufgrund der niedrigen Wärmeentwicklung
  • Elektrisch ähnliche Werte wie die gängige MJD2873-Baureihe
  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
  • MJD2873-Q: AEC-Q101 qualifiziert

Applikationen

  • Leistungsmanagement
  • Lastschalter
  • Linearmodus-Spannungsregler
  • Hintergrundbeleuchtungen mit Konstantstromantrieb
  • Motorantrieb
  • Ersatz für Relais

Kurzreferenzdaten

Tabelle - Nexperia MJD2873 NPN 2-A-Hochleistungs-Bipolartransistor mit 50 V
Veröffentlichungsdatum: 2021-06-08 | Aktualisiert: 2022-09-01