Nexperia NSF0x120L4A0 n-Kanal-MOSFETs

Die n-Kanal-MOSFETs NSF0x120L4A0 von Nexperia sind 1200-V-Leistungs-MOSFETs auf Siliziumkarbidbasis (SiC) im bewährten 4-poligen TO-247-Kunststoffgehäuse. Diese MOSFETs weisen eine ausgezeichnete Temperaturstabilität des Drain-Source-Einschaltwiderstands auf. Die Baureihe bietet niedrige Schaltverluste, eine schnelle Sperrverzögerung und hohe Schaltgeschwindigkeiten. Die Nexperia-MOSFETs bieten aufgrund des zusätzlichen Kelvin-Source-Pins eine schnellere Kommutierung und ein verbessertes Schalten. Die Module der Baureihe NSF0x120L4A0 zeichnen sich durch eine maximale Gate-Source-Spannung von 22 V, eine maximale Sperrschichttemperatur von +175°C und EU-RoHS-Konformität aus. Typische Applikationen sind Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Wechselrichter, Schaltnetzteile, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Motorantriebe.