Nexperia NX-xB-GAN-Boards

Das NX-DP-GAN039-TSC Evaluierungsboard ermöglicht Doppelimpulstests von GaN-FETs in einem auf der Oberseite gekühlten Kupferklemmen-Gehäuse (CCPAK). Diese Karte ist für eine niedrige Induktivität optimiert und verfügt über integrierte Stromsensoren, die typische Schaltbetriebsweisen unterstützen und eine Evaluierung ermöglichen. Das Evaluierungsboard NX-DP-GAN039-TSC kann auch so konfiguriert werden, dass es die Analyse des thermischen Widerstands und den kontinuierlichen Betrieb des Wechselrichters im Abwärts- oder Aufwärtsmodus unterstützt. Diese Platine kann mit einer geeigneten Hochleistungsinduktivität gepaart werden, um eine Ausgangsleistung von bis zu 5 kW bei einer Schaltfrequenz von 100 kHz zu erreichen.

Das NX-HB-GAN039-BSCUL Evaluierungsboard stellt die Elemente eines einfachen Abwärts- oder Aufwärtswandlers bereit. Dies ermöglicht die grundlegende Untersuchung der Schalteigenschaften und des mit 650-V-GaN-FETs erreichbaren Wirkungsgrads. Dieses Evaluierungsboard verfügt über Auswahlbrücken, die die Verwendung einer einzelnen Logikschaltung oder separater High-/Low-Level-Eingänge ermöglichen. Der Hochspannungseingang und -ausgang können mit bis zu 400 V_DC mit einem Leistungsausgang von bis zu 3,5 kW betrieben werden.

Das Evaluierungsboard NX-HB-GAN039-TSCUL stellt die Elemente eines einfachen Abwärts- oder Aufwärtswandlers bereit. Dies ermöglicht die grundlegende Untersuchung der Schalteigenschaften und des mit 650-V-GaN-FETs erreichbaren Wirkungsgrads. Dieses Evaluierungsboard verfügt über Auswahlbrücken, die die Verwendung einer einzelnen Logikschaltung oder separater High-/Low-Level-Eingänge ermöglichen. Der Hochspannungseingang und -ausgang können mit bis zu 400 V_DC mit einem Leistungsausgang von bis zu 3,5 kW betrieben werden.

Das NX-HB-GAN041UL Evaluierungsboard stellt die Elemente eines einfachen Abwärts- oder Aufwärtswandlers bereit. Dies ermöglicht die grundlegende Untersuchung der Schalteigenschaften und des mit 650-V-GaN-FETs erreichbaren Wirkungsgrads. Dieses Evaluierungsboard verfügt über Auswahlbrücken, die die Verwendung einer einzelnen Logikschaltung oder separater High-/Low-Level-Eingänge ermöglichen. Der Hochspannungseingang und -ausgang können mit bis zu 400 V_DC mit einem Leistungsausgang von bis zu 3,5 kW betrieben werden.

Das NX-HB-GAN111UL Evaluierungsboard stellt die Elemente eines einfachen Abwärts- oder Aufwärtswandlers mit GAN111-650WSB GaN-FET bereit. Mithilfe dieser Platine können die Schalteigenschaften sowie der mit 650-V-GaN-FETs erreichbare Wirkungsgrad grundlegend untersucht werden. Das Evaluierungsboard NX-HB-GAN111UL verfügt über Auswahlbrücken, die die Verwendung einer einzelnen Logikschaltung oder separater High-/Low-Level-Eingänge ermöglichen. Der Hochspannungseingang und -ausgang können mit bis zu 400 V_DC mit einem Leistungsausgang von bis zu 2 kW betrieben werden.

Das NX-HB-GAN3R2-BSC Evaluierungsboard stellt die Elemente eines einfachen Abwärts- oder Aufwärtswandlers bereit. Dies ermöglicht die grundlegende Untersuchung der Schalteigenschaften und des mit 100-V-E-Mode-GaN-FETs erreichbaren Wirkungsgrads. Dieses Evaluierungsboard verfügt über Auswahlbrücken, die die Verwendung einer einzelnen Logikschaltung oder separater High-/Low-Level-Eingänge ermöglichen. Der Spannungseingang und -ausgang können mit bis zu 60 V_DC mit einem Leistungsausgang von >350 W betrieben werden.