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Nexperia PBHV8515QA-Q NPN-Transistor

Der Nexperia PBHV8515QA-Q NPN-Transistor ist ein Hochspannungs-Bauteil mit niedrigem VCEsat in einem bleifreien, ultrakleinen DFN1010D-3 (SOT1215) SMD-Kunststoffgehäuse. Dieser Transistor bietet einen maximalen DC-Kollektorstrom (IC) von 500 mA, der moderate Ströme schalten oder verstärken kann. Der PBHV8515QA-Q Transistor wird bei einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung (VCE) von 150 V, was auf seine Fähigkeit hinweist, im ausgeschalteten Zustand hohe Spannungen zu verarbeiten. Dieses Bauteil ist für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und empfohlen. Der PBHV8515QA-Q Transistor eignet sich hervorragend für LED-Kettenmodule, High Intensity Discharge (HID) Frontbeleuchtung, Automotive-Motormanagement und Schaltnetzteil (SNT).

Merkmale

  • Hochspannung
  • Geringe Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat
  • Hohe Kollektor-Strombelastbarkeit IC und ICM
  • Hohe Gain (hFE) bei hohem IC
  • Geringe Bauhöhe von 0,37 mm
  • Geeignet für die automatische optische Inspektion (AOI) von Lötzinn
  • Für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen gemäß AEC-Q101 zugelassen

Applikationen

  • LED-Treiber für LED-Kettenmodule
  • High Intensity Discharge (HID) Frontbeleuchtung
  • Automotive-Motormanagement
  • Schaltnetzteil (SNT)

Abmessungen

Technische Zeichnung - Nexperia PBHV8515QA-Q NPN-Transistor
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-30 | Aktualisiert: 2025-08-20