Nexperia PBSS4350X NPN-Bipolartransistor

Der Nexperia PBSS4350X NPN Bipolartransistor ist mit einer niedrigen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CEsat) konzipiert und untergebracht in einem kompakten SOT89 (SC-62) Oberflächenmontage-Kunststoffgehäuse. Dieses Transistor zeichnet sich durch einen hohen Kollektorstrom-Fähigkeit aus und bietet einen hohen Wirkungsgrad, was zu einer geringeren Wärmeentwicklung führt. Der PBSS4350X-Transistor ist AEC-Q101-qualifiziert und eignet sich für Applikationen, die einen hohen Wirkungsgrad und kompakte PCB-Layouts erfordern. Zu den Applikationen gehören unter anderem DC/DC- Wandler, Akkuladegeräte, LCD- Hintergrundbeleuchtung und Peripherie-Treiber.

Merkmale

Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CEsat)
Hohe KollektorstromFähigkeit (I_C= 3 A)
50 V (V_CEO) Kollektor-Emitter-Spannung
Höherer Wirkungsgrad, der zu geringerer Wärmeentwicklung führt
Reduzierte Leiterplattenanforderungen

AEC-Q101-qualifiziert
-65 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich
SOT89 (SC-62) Oberflächenmontiertes Gerät (SMD) Kunststoffgehäuse

Applikationen

Leistungsmanagement:
- DC/DC-Wandler
- Versorgungsleitungsschaltung
- Akkuladegeräte
- LCD-Hintergrundbeleuchtung

Peripherie-Treiber:
- Treiber in Applikationen mit niedriger Versorgungsspannung (z. B. Lampen und LEDs)
- Induktive Lasttreiber (z. B. Relais, Summer und Motoren)