Nexperia PMDXBx 20V Trench-MOSFETs

NXP PMDXBx 20V Trench-MOSFETs bestehen aus Anreicherungstyp-Feldeffekt-Transistoren (FET) in einem kabellosen, ultrakleinen SOT1216 Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Die Bauteile nutzen Trench-MOSFET-Technologie, haben ein freiliegendes Drain-Pad für hervorragende Wärmeleitung, bieten >1kV HBM ESD-Schutz und 470mΩ Drain-Source-On-Widerstand. Die PMDXBx MOSFETs sind in Dual-N- und P-Kanal-Versionen erhältlich. Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise.