Nexperia PSC1065B1 Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden
Nexperia PSC1065B1 Siliciumcarbid(SiC)-Schottky-Dioden sind für Leistungsumwandlungsapplikationen mit extrem hoher Leistungsfähigkeit, geringem Verlust und hohem Wirkungsgrad ausgelegt. Die zusammengefügte PiN-Schottky(MPS)-Diode bietet ein Schaltverhalten ohne Sperrverzögerung und zeichnet sich durch eine hervorragende Gütezahl (QC x VF) aus. Die PSC1065B1 Diode erhöht die Robustheit, die in einem hohen IFSM beschrieben wird. Diese Dioden eignen sich ideal für AC/DC-Wandler, DC/DC-Wandler, Photovoltaik-Umrichter und Telekommunikations-Netzteile.
Merkmale
- Keine Durchlass- und Sperrverzögerung
- Temperaturunabhängiges, schnelles und sanftes Schaltverhalten
- Hervorragende Gütezahl (Qc x VF)
- Hohe IFSM-Fähigkeit
- Hohe Leistungsdichte
- Niedrigere Systemkosten
- System-Miniaturisierung
- Reduzierte EMI
Applikationen
- Schaltnetzteile (SNTs)
- AC/DC- und DC/DC-Wandler
- Batterieladeinfrastruktur
- Server- und Telekommunikations-Netzteil
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
- Photovoltaik-Umrichter
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Typische Applikation
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-19
| Aktualisiert: 2026-01-06