Nexperia PSMN071-100NSE n-Kanal-ASFET
Der PSMN071-100NSE n-Kanal-ASFET von Nexperia ist für Relaisaustausch, Einschaltstrommanagement und Batteriemanagement-Applikationen ausgelegt. Dieser ASFET bietet einen verbesserten sicheren Betriebsbereich (SOA) für einen hervorragenden Linearmodus-Betrieb. Der PSMN071-100NSE n-Kanal-ASFET bietet einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand für niedrige I2R-Leitungsverluste. Dieser ASFET verfügt über eine maximale Drain-Source-Spannung von 100 V, einen maximalen Drainstrom von 9,8 A, eine maximale Gesamtverlustleistung von 31 W und eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Der PSMN071-100NSE n-Kanal-ASFET wird in einem verbesserten SOA in einem kompakten 2 mm x 2 mm messenden DFN2020-Gehäuse geliefert. Weitere Applikationen sind IEEE802.3at- und proprietäre PoE-Lösungen, WLAN® -Hotspots, 5G-Picozellen und CCTV.
Merkmale
- Verbesserter sicherer Betriebsbereich (SOA) für einen hervorragenden Linearmodus-Betrieb
- Niedriger Drain-Source-Einschaltwiderstand für niedrige I2R-Leitungsverluste
- 2 mm x 2 mm messendes platzsparendes DFN2020-Gehäuse
- Sehr niedriger Drain-Ableitstrom
- EU-/CN-RoHS-konform
Technische Daten
- Maximale Drain-Source-Spannung: 100 V
- Maximaler Drain-Strom: 9,8 A
- Maximale Gesamtverlustleistung: 31 W
- Maximaler nicht-repetitiver Avalanche-Strom: 8 A
- 175 °C maximale Sperrschichttemperatur
- Spitzenlöttemperatur: 260 °C
Applikationen
- IEEE802.3at- und proprietäre PoE-Lösungen
- Einschaltstrommanagement
- eFuse-Applikationen
- Batteriemanagement-Applikationen
- Relaisaustausch
- WLAN® -Hotspots
- 5G-Picozellen
- CCTV
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-21
| Aktualisiert: 2024-02-28