Nexperia Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte

Nexperia Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte bieten WLCSP- und unbedrahtete DFN-Gehäuse für mobile und tragbare Applikationen. Die SSMOS-Gehäuse von Nexperia bieten eine extrem kleine DFN-Lösung in der heutigen häufig verwendeten Rastermaß-Größe von 0,35 mm. Diese extrem kleinen Gehäuse sind eine ideale Ersatzlösung, wo Platz entscheidend ist. Sie bieten eine erhebliche Platzeffizienz bei minimalem Montageaufwand. Alle Teile sind sowohl als n-Kanal als auch p-Kanal erhältlich und mit einem ESD-Schutz von > 2 kV und einer hohen Leistungsfähigkeit von > 1.300 mW ausgestattet.

Die Gehäuseoptionen für die Kleinsignal-MOSFETs von Nexperia umfassen das DFN0603 mit extrem niedrigem Profil, das nur 0,63 mm x 0,33 mm x 0,25 mm misst. Dieses Gehäuse benötigt 13 % weniger Platz als MOSFETs im nächstkleineren Gehäuse DFN0604. Darüber hinaus wurde diese Größenreduzierung ohne Beeinträchtigung der Geräteleistung erreicht, da der RDS (on) dieser Bauteile durch den 74 % reduziert wurde, was zur Verbesserung des Wirkungsgrads beiträgt und damit Designern von Wearables ermöglicht, eine noch höhere Leistungsdichte zu erreichen.

Merkmale

  • PMPB09R1XN, PMPB10R3XN, PMPB14R8XN
    • 30 V VDS, n-Kanal-Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET)
    • Unbedrahtetes DFN2020M-6-SMD-Kunststoffgehäuse mit mittlerer Leistung (SOT1220-2) von 2 mm x 2 mm x 0,65 mm
  • PMPB19R0UPE, PMDXB290UNE
    • 20 V p-Kanal-Anreicherungstyp-Feldeffekt-Transistor (FET)
    • PMPB19R0UPE Bleifreies DFN2020M-6-SMD-Kunststoffgehäuse mittlerer Leistung (SOT1220-2) von 2 mm x 2 mm x 0,65 mm
    • PMDXB290UNE Bleifreies, thermisch verbessertes, extrem flaches, kleinformatiges DFN1010B-6-Gehäuse (SOT1216) von 1,1 mm x 1 mm x 0,37 mm
  • Die Gehäuseoptionen umfassen DFN0603 mit extrem niedrigem Profil
  • Ersatz größerer Gehäuse – Leistungsverbesserungen in der Wafer- und Gehäusetechnologie ermöglichen eine höhere elektrische und thermische Leistung auf einem kleineren Footprint
  • Hohe Leistungsfähigkeit
  • Kompatibel mit Rastermaß über DFN0606 und DFN1006
  • Verbesserte RDS(on) Leistung

Applikationen

  • Lastschaltung
  • Kabelloses Laden
  • Batterieschalter
  • LED-Treiber
  • Ladeschalter für tragbare Geräte
  • Festplatten- und Computer-Leistungsmanagement
  • Leistungsmanagement in batteriebetriebenen tragbaren Geräten
  • Pegelumsetzer
  • DC/DC-Wandlung
  • Relais-Treiber
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

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Platzeinsparungen – Vergleich

Nexperia Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte
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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
PMX100UNEZ PMX100UNEZ Datenblatt MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
PMCA14UNYL PMCA14UNYL Datenblatt MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
NX138AKHH NX138AKHH Datenblatt MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
PMPB07R3ENAX PMPB07R3ENAX Datenblatt MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
PMPB07R3ENX PMPB07R3ENX Datenblatt MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
PMPB33XPZ PMPB33XPZ Datenblatt MOSFETs PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6
PMX400UPZ PMX400UPZ Datenblatt MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-24 | Aktualisiert: 2026-03-30