Omron G3VH SiC-MOSFET-Relais

Omron G3VH SiC-MOSFET-Relais sind Hochlastspannungs-MOSFET-Relais, die auf der SiC-MOSFET-Technologie (Siliciumcarbid) basieren, um das Schalten bei Spannungen von 1000 V oder mehr zu ermöglichen. Diese Relais unterstützen Lastspannungen bis zu 1800 V oder 3300 V bei gleichzeitig niedrigem Einschaltwiderstand für einen effizienten Betrieb. Die G3VH Relais sind in einem kompakten 6-Pin-DIP-Gehäuse mit einer normalerweise offenen (1a/SPST-NO) Kontaktkonfiguration untergebracht. Diese G3VH SiC-MOSFET-Relais zeichnen sich durch einen Eingangsdurchlassstrom von 50 mA, eine hohe Isolierung bis zu 5.000 V_rms zwischen Eingang und Ausgang sowie eine schnelle Schaltleistung aus. Typische Applikationen sind Halbleitertestgeräte und Batteriemanagementsysteme (BMS), bei denen Hochspannungsschaltungen erforderlich sind.