Omron Electronics G3VM-QR MOSFET-Relais
Das Omron Electronics G3VM-QR MOSFET-Relais zeichnet sich durch eine niedrige Sperrkapazität, einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine maximale Schaltleistung von 400 mA bei 60 V aus. Das G3VM-QR ist ein kompaktes, leichtgewichtiges Relais, das in einem S-VSON (L) Gehäuse von 1,3 mm x 2 mm x 1,45 mm untergebracht ist. Weitere Vorteile sind eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, eine saubere Signalübertragung und eine höhere Dichteflexibilität aufgrund des Betriebs bei Umgebungstemperaturen von -40 °C bis +110 °C. Das G3VM-QR MOSFET-Relais von Omron Electronics eignet sich für Halbleitertestgeräte, Kommunikationsgeräte, Stromversorgungen und Datenlogger.
Merkmale
- Kompaktes, leichtes Design
- Hervorragende Ausgangseigenschaften
- Schnelle Reaktion
- Hochtemperaturbeständigkeit
- Saubere Signalübertragung
- Ermöglicht eine hohe Design-Flexibilität
Applikationen
- Stromversorgung
- Halbleiter-Testgeräte
- Kommunikationsgeräte
- Test- und Messgeräte
- Daten-Protokolliergeräte
Technische Daten
- 1,3 mm x 2 mm x 1,45 mm großes S-VSON(L)-Gehäuse
- 60 V Lastspannung
- Ununterbrochener Laststrom von 400 mA
- Maximaler Widerstand von 1,5 Ω mit aktiviertem Ausgang (RON)
- Kapazität von 12 pF zwischen den Anschlüssen
- 0,25 ms maximale Einschaltzeit
- Maximale Ausschaltzeit: 0,2 ms
- Oberflächenmontierbare Anschlüsse
- Umgebungstemperaturbereich: -40 °C bis +110 °C
Gehäuse- und Montagepad-Abmessungen
Anschlussanordnungen/interne Verbindung
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Veröffentlichungsdatum: 2024-09-19
| Aktualisiert: 2025-04-25