Omron Electronics G3VM-YR MOSFET-Relais
Das Omron Electronics G3VM-YR MOSFET-Relais ist ein MOSFET-Relais mit niedriger Ausgangskapazität und niedrigem Einschaltwiderstand, das sich für Hochfrequenz-Signalschalter eignet. Dieses Relais ist in einem kompakten, leichten 4-Pin-WSON-Gehäuse mit den Abmessungen 0,8 mm × 2 mm × 1,45 mm und einem Gewicht von nur 0,01 g erhältlich. Das G3VM-YR Relais weist ein niedrige SxR von 13,2 pF/Ω mit 12 pF COFF (Standard) und 1,1 Ω RON (Standard) auf und bietet hervorragende Ausgangseigenschaften im Hochfrequenzbereich. Dieses hochtemperaturfähige MOSFET-Relais verfügt über einen nutzbaren Umgebungstemperaturbereich von -40 °C bis +110 °C. Zu den typischen Applikationen gehören Halbleiter-Testgeräte, Kommunikationsgeräte, Prüf- und Messgeräte sowie Datenlogger.
Merkmale
- Kompaktes, leichtes 0,8 mm x 2 mm × 1,45 mm-Gehäuse mit einem Gewicht von nur 0,01 g, wodurch der Platzbedarf für Leiterplatten reduziert wird
- Hochtemperaturbelastbarkeit (nutzbarer Umgebungstemperaturbereich von -40 °C bis +110 °C), die eine höhere Designflexibilität ermöglicht
- Niedriges C × R = 13,2 pF/Ω, COFF (Standard) = 12 pF, RON (Standard) = 1,1 Ω
- Bietet hervorragende Ausgangsmerkmale im Hochfrequenzbereich
- Hochfrequenz -3 dB max. bei 20 GHz
- Unterstützt eine maximale Schaltung von 400 mA bei 60 V
Applikationen
- Halbleiter-Testausrüstung
- Kommunikationsgeräte
- Daten-Protokolliergeräte
- Prüf- und Messausrüstung
- Hochfrequenz-Designs
Anschluss/Gehäuseabmessungen
Zugehörige Lösungen
Omron Electronics Automatisierte Prüfausrüstungslösungen (ATE)
Verschiedene elektromechanische Signal- und MOSFET-Relais für IC-Prüfsysteme und -Handler.
Veröffentlichungsdatum: 2024-09-20
| Aktualisiert: 2025-04-25