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onsemi AFGHL40T65SQ und AFGHL50T65SQ IGBTs

Die AFGHL40T65SQ und AFGHL50T65SQ IGBTs von Onsemi sind Hochgeschwindigkeits-Field-Stop-IGBTs der 4. Generation, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen. Die AFGHL40T65SQ und AFGHL50T65SQ IGBTs bieten eine höhere Zuverlässigkeit und optimale Leistung für hartes und weiches Schalten. Die AFGHL40T65SQ und AFGHL50T65SQ IGBTs von onsemi sind AEC Q101-qualifiziert und bieten sehr geringe Schalt- und Leitungsverluste.

Merkmale

  • AEC-Q101-qualifiziert
  • +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
  • Positiver Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
  • Hohe Strombelastbarkeit
  • Niedrige Sättigungsspannung: 1,6 V VCE(Sat) (typisch) bei 50 A IC
  • 100 % der Teile werden auf ILM getestet.
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Enge Parameterverteilung
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Automobil-Applikationen
    • Onboard-Ladegeräte für Hybrid-/Elektrofahrzeuge (HEV/EV)
    • HEV-EV-DC/DC Wandler
  • Brückenlose Totem-Pole-Blindleistungskompensation (PFC)
  • Positiver Temperaturkoeffizient (PTC)

Technische Daten

  • AFGHL40T65SQ
    • 650 V Kollektor-zu-Emitter-Spannung
    • ±20 V Gate-zu-Emitter-Spannung
    • ±30 V transiente Gate-zu-Emitter-Spannung
    • 40 A bei TC = +100 °C Kollektorstrom
    • 80 A bei TC = +25 °C Kollektorstrom
    • 160 A gepulster Kollektorstrom
    • Maximaler Leistungsverlust 239 W bei TC = +25 °C
    • Maximaler Leistungsverlust 119 W bei TC = +100 °C
    • Betriebs-Sperrschicht-/Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
    • Maximale Leitungstemperatur für Lötzwecke von 300 °C, 1/8 Zoll (0,31 cm) vom Gehäuse während 5 Sek.
  • AFGHL50T65SQ
    • 650 V Kollektor-zu-Emitter-Spannung
    • ±20 V Gate-zu-Emitter-Spannung
    • ±30 V transiente Gate-zu-Emitter-Spannung
    • 50 A bei TC = 100 °C Kollektorstrom
    • 80 A bei 25 °C Kollektorstrom
    • 200 A gepulster Kollektorstrom
    • 268 W bei TC = 25 °C maximaler Leistungsverlust
    • 134 W bei TC = 100 °C maximaler Leistungsverlust
    • Betriebs-Sperrschicht-/Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
    • Maximale Leitungstemperatur für Lötzwecke von 300 °C, 1/8 Zoll (0,31 cm) vom Gehäuse während 5 Sek.

Datenblätter

Veröffentlichungsdatum: 2020-06-16 | Aktualisiert: 2024-06-05