onsemi FGHL50T65SQDT IGBTs
Der FGHL50T65SQDT IGBT von Onsemi ist ein Field-Stop-IGBT der 4. Generation, der optimale Leistung bietet. Diese IGBTs ermöglichen einen einfachen Parallelbetrieb mit geringen Leitungs- und Schaltverlusten. Der FGHL50T65SQDT von Onsemi ist ideal für Applikationen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste von entscheidender Bedeutung sind, einschließlich Solar-Umrichter, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), Telekommunikation, Energiespeichersysteme (ESS) und Blindleistungskompensation (PFC).
Merkmale
- Positiver Temperaturkoeffizient
- 1,47 V typischer VCE(sat) bei 50 A IC niedrige Sättigungsspannung
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
- Hohe Strombelastbarkeit
- All Teile ILM -getestet
- Hohe Eingangsimpedanz
- Strikte Parameterverteilung
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Solar-Umrichter
- UPS
- Telekommunikation
- ESS
- PFC
Technische Daten
- Kollektor-zu-Emitter-Spannung: 650 V
- Gate-zu-Emitter-Spannung: ±20 V
- Transiente Gate-zu-Emitter-Spannung: ±30 V
- Kollektorstrom: 100 A bei TC = 25 °C
- Kollektorstrom: 50 A bei TC = 25 °C
- 200 A gepulster Kollektorstrom
- Dioden-Durchlassstrom 75 A bei TC = 25 °C
- Dioden-Durchlassstrom 50 A bei TC = 25 °C
- 300 A maximaler gepulster Dioden-Durchlassstrom
- Maximaler Leistungsverlust 268 W bei TC = 25 °C
- Maximaler Leistungsverlust 134 W bei TC = 100 °C
- Betriebs-Sperrschicht-/Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
- Maximale Leitungstemperatur für Lötzwecke: 265 °C, 1/8 Zoll (0,31 cm) vom Gehäuse während 5 Sekunden
Übersicht
Veröffentlichungsdatum: 2020-06-16
| Aktualisiert: 2024-06-05