onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren

Onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren sind Dual-Universal-Transistoren, die für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen ausgelegt sind. Diese NPN/PNP-Transistoren sind im SOT-363/SC-88-Gehäuse untergebracht. Die BC846BPDW1 Bipolartransistoren sind AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und in einem bleifreien Gehäuse verfügbar. Diese NPN/PNP-Transistoren sind halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform. Die bipolaren Transistoren eignen sich hervorragend für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen.

Merkmale

  • Dual-NPN/PNP-Universal-Transistoren
  • Im SOT-363/SC-88-Gehäuse untergebracht
  • Für Applikationen zur Oberflächenmontage mit geringem Stromverbrauch ausgelegt
  • „S“ -Präfix für Fahrzeug- und andere Applikationen mit einzigartigen Platz- und Steueränderungsanforderungen
  • AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • Applikationen zur Oberflächenmontage mit geringem Stromverbrauch

Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren
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Teilnummer Datenblatt Sättigungsspannung Kollektor-Emitter DC Stromverstärkung hFE max. DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min
BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Datenblatt 600 mV, 650 mV 150
SBC846BPDW1T2G SBC846BPDW1T2G Datenblatt 600 mV, 650 mV 475 200
SSVBC846BPDW1T1G SSVBC846BPDW1T1G Datenblatt 250 mV, 300 mV 475 200
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G Datenblatt 600 mV, 650 mV 475 at 2 mA, 5 V 200 at 2 mA, 5 V
SBC846BPDW1T3G SBC846BPDW1T3G Datenblatt 800 200
Veröffentlichungsdatum: 2024-10-07 | Aktualisiert: 2024-10-28