onsemi BCP56M NPN-Transistor im mittleren Leistungsbereich

Der onsemi BCP56M NPN-Transistor im mittleren Leistungsbereich ist für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt, die eine hervorragende thermische Leistungsfähigkeit bieten. Dieser NPN-Transistor ist für eine optimale automatische optische Inspektion (Automated Optical Inspection, AOI) in einem DFN2020-3-Gehäuse mit benetzbarer Flanke untergebracht. Der BCP56M Transistor im mittleren Leistungsbereich ist ein 80 V, 1 A Bauteil, das in einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -65°C bis 150°C betrieben wird. Dieser Transistor ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig, bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform.  Der BCP56M TRANSISTOR im mittleren Leistungsbereich eignet sich hervorragend für Universal-Schaltung und Verstärkung sowie Automotive-ECUs.

Merkmale

  • Gehäuse mit benetzbarer Flanke für eine optimale automatische optische Inspektion (AOI)
  • NSV-Präfix für Fahrzeuganwendungen und andere Applikationen mit einzigartigen Platz- und Steueränderungsanforderungen
  • Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich: -65 °C bis +150 °C
  • AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • Universal-Schaltung und Verstärkung
  • Automotive-ECUs

Gehäuseabmessungen

onsemi BCP56M NPN-Transistor im mittleren Leistungsbereich
Veröffentlichungsdatum: 2024-09-12 | Aktualisiert: 2024-10-18