onsemi Bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren

Onsemi bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren sind als Ersatz für ein einzelnes Bauteil und das zusätzliche externe Widerstands-Vorspannungsnetzwerk ausgelegt. Der Vorspannungswiderstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen besteht (ein Basisserienwiderstand und ein Basis-Emitter-Widerstand). Durch die Integration dieser einzelnen Bauelemente in einem einzigen Bauteil vereinfacht der BRT auf diesen bipolaren NPN-Digitaltransistoren von onsemi das Schaltungsdesign und eliminiert diese. Ein BRT reduziert auch die Systemkosten und den Board-Platz.

Merkmale

  • Vereinfacht das Schaltungsdesign
  • Reduziert den Boardplatz
  • Diese Bauteile sind bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform
  • Reduziert die Anzahl der Bauteile
  • S- und NSV-Präfix für die Fahrzeug- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrollwechsel stellen; nach AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig

Applikationen

  • I/O-Signalsteuerung
  • Logikschaltung

Pin-Anschlüsse

Schaltplan - onsemi Bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren
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Teilnummer Datenblatt Verpackung/Gehäuse Beschreibung
NSVBC144EDXV6T1G NSVBC144EDXV6T1G Datenblatt SOT-563 Digitaltransistoren SS SOT563 RSTR XSTR TR
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G Datenblatt SOT-363(PB-Free)-6 Digitaltransistoren SS BR XSTR NPN 50V
MUN5213DW1T3G MUN5213DW1T3G Datenblatt SOT-363-6 Digitaltransistoren SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
NSBC144EDP6T5G NSBC144EDP6T5G Datenblatt SOT-963-6 Digitaltransistoren SOT-963 DUAL NBRT
NSBC144EDXV6T1G NSBC144EDXV6T1G Datenblatt SOT-563-6 Digitaltransistoren 100mA 50V Dual NPN
NSVMUN5213DW1T3G NSVMUN5213DW1T3G Datenblatt SOT-363-6 Digitaltransistoren SS SC88 BR XSTR NPN 50V
SMUN5213DW1T1G SMUN5213DW1T1G Datenblatt SOT-363-6 Digitaltransistoren SS BR XSTR NPN 50V
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-15 | Aktualisiert: 2025-05-22