onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET
Der FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET von onsemi bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine typische niedrige Gate-Ladung von 6,9 nC, eine Drain-Source-Spannung von -20V, eine Gate-Source-Spannung von ±8 V und eine Verlustleistung von 1,2 W aus. Der FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET ist in einem SUPERSOT™-6-Gehäuse erhältlich, das einen 72 % kleineren Footprint als das Standard-SO-8-Gehäuse und ein 1 mm dickes, flaches Design aufweist. Dieser MOSFET für Kleinsignalanwendungen ist bleifrei, RoHS-konform, nach AEC-Q101 zertifiziert und PPAP-fähig. Typische Anwendungen umfassen einen Lastschalter, Batterieschutz und Energiemanagement.
Merkmale
- Typischer RDS(on) = 52,5 mΩ bei VGS = -4,5 V, ID = -4 A
- Typischer RDS(on) = 75,3 mΩ bei VGS = -2,5 V, ID = -3,2 A
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- 6.9 nC typischer niedriger Gate-Ladungswert
- Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on)
- SUPERSOT™–6-Gehäuse:
- 72 % kleiner als Standard-SO-8 mit kleinem Footprint
- 1 mm dickes, flaches Profil
- RoHS-konform und bleifrei
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Applikationen
- Lastschalter
- Batterieschutz
- Energiemanagement
Technische Daten
- -20 V Drain-Source-Spannung
- ±8 V Gate-Source-Spannung
- 1,2 WW Verlustleistung
- Betriebs- und Lagertemperaturbereich -55 °C bis 150 °C
Typische Kennlinie
Weitere Ressourcen
Applikationsinfo
- AN-9056-Using Einsatz von Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETs
- AN-4161-Practical Überlegungen zur Stabilität von Trench-MOSFETs im linearen Betrieb
- AN-7515 Kombiniertes Einzelpuls- und wiederholtes UIS-Bewertungssystem
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- MOSFET-Grundlagen AN-9010/D
- AN-4163/D - Erklärung des Datenblatts für abgeschirmte Gate POWERTRENCH MOSFETs
- AN-9034 - Richtlinien für Power MOSFET Avalanche
Veröffentlichungsdatum: 2025-11-19
| Aktualisiert: 2025-11-27