onsemi FGHL50T65MQDTx Field-Stop-Trench-IGBTs

onsemi FGHL50T65MQDTx Field-Stop-Trench-IGBTs sind eine IGBT-Technologie der 4. Generation mit mittlerer Geschwindigkeit, die mit einer vollständigen Nennstromdiode bestückt sind. Diese IGBTs werden bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C betrieben. Die Funktionen umfassen eine weiche und optimierte Schaltung, eine hohe Strombelastbarkeit und eine strikte Parameterverteilung. Typische Applikationen umfassen Solarwechselrichter, UVS, ESS, Wandler und FPS.

Merkmale

  • Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C TJ
  • Positiver Temperaturkoeffizient für einen einfachen, parallelgeschalteten Betrieb
  • Hohe Strombelastbarkeit
  • Geringe Sättigungsspannung:
    • VCE(sat) = 1,45 V (typisch) bei IC = 50 A
  • 100 % der Bauteile sind auf ILM getestet
  • Weiche und optimierte Schaltung
  • Enge Parameterverteilung
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Solarwechselrichter
  • UVS und ESS
  • PFC und Wandler

Technische Zeichnung (mm)

Technische Zeichnung - onsemi FGHL50T65MQDTx Field-Stop-Trench-IGBTs
Veröffentlichungsdatum: 2022-04-07 | Aktualisiert: 2022-07-22